硅掺杂氧化钛（Silicon doped titanium oxide）SOG Ti-1025
硅掺杂氧化钛是专为 Ga?O?半导体硅掺杂设计的高 k、高折射率旋涂材料，同时可用于电容介质、光学匹配、紫外防护、晶圆键合及器件钝化。
核心应用场景：
1、氧化镓（Ga?O?）半导体硅掺杂
专门用于Ga?O?功率器件的Si 掺杂 / 扩散 许总：15220133370
实现可控 n 型掺杂、调控阈值电压、提升导通性能
适用于二极管、MOSFET、垂直结构功率器件
2、高 k（高介电常数）电容介质层
MIM 电容、MOS 电容、射频电容、模拟 / 混合信号 IC
高绝缘强度、低漏电流、耐高温、可靠性高
3、高折射率光学匹配 / 耦合层
折射率 2.0，适合光电器件、激光器、LED、PD
光学耦合、波导包覆、增透膜、光路匹配
4、紫外（UV）吸收保护涂层
强紫外吸收，保护光敏器件、光刻区、光电芯片
提升器件抗老化、抗紫外损伤能力
5、光学薄膜：透明膜 / 散射膜可调
可通过工艺做成全透明致密膜或光散射膜
用于光学组件、成像芯片、光路调控
6、晶圆键合中介层
硅 / 化合物半导体晶圆低温键合
提升附着力、均匀性、结构强度
7、半导体 / MEMS 绝缘、平坦化、钝化
层间绝缘、沟槽填充、表面保护、应力缓冲
低温旋涂，不损伤敏感结构
一、产品基本信息
产品名称：SOG Ti-1025
材料类型：硅掺杂氧化钛（Silicon doped titanium oxide）
核心组成元素：Ti、Si、O
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、关键性能参数
表格
参数项 数值 / 规格
折射率（RI） 2.0
粘度 0.90 ± 0.25 cps
20℃ 保质期 3 个月
4℃ 保质期 9 个月
三、产品核心优势
优异的电容层间介质：具备高介电常数与高绝缘强度，适用于半导体电容制备。
涂层均匀：成膜一致性优异，工艺稳定性强。
高折射率：可匹配半导体光输入 / 输出器件，用于光学耦合与包覆。
成膜可调：可通过工艺制备光学透明膜或光散射膜。
紫外吸收：可对关键器件提供紫外防护。
四、典型应用场景
Ga?O?半导体硅掺杂：专门用于氧化镓半导体的硅掺杂工艺。
半导体电容器：基于高介电、高绝缘特性制作各类电容结构。
光电器件应用：光学输入 / 输出接口匹配、波导包覆层。
晶圆键合：可作为晶圆键合辅助薄膜使用。
紫外吸收保护：用于光敏器件与关键组件的紫外防护。
晶圆标记：可形成白色边界用于工艺定位与标识。
五、包装与替代方案
包装规格：240ml、500ml、1L、4L
替代产品：Ti-452、Ti-100R、Ti-140R、Ti-1000、Ti-1100
可添加改性元素： 钇（Y）、锆（Zr）、铪（Hf）、铌（Nb） 及其混合物
4. 关键问题
问题：SOG Ti-1025 最具针对性的特殊应用场景是什么？
答案：专门用于Ga?O?（氧化镓）半导体的硅掺杂工艺。
问题：SOG Ti-1025 的折射率、粘度分别是多少？
答案：折射率为2.0，粘度为0.90±0.25 cps。
问题：SOG Ti-1025 可通过添加哪些元素进行改性，有哪些替代产品？
答案：可添加钇、锆、铪、铌元素改性；替代产品包括Ti-452、Ti-100R、Ti-140R、Ti-1000、Ti-1100。
