NR7G-6000P 干法刻蚀负胶

它是低能量曝光、厚膜、高温、干法刻蚀场景的专用胶。

NR7G-6000P 是适用于 365/406/436nm 多波长紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现 4.9–12.5μm 膜厚图形化，具备超高感光度（5mJ/cm2?μm）、快显影、耐高温（180℃）、抗 RIE 干法刻蚀、易去除等特点，兼容多种曝光设备与低热导基板工艺。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷加工 等领域，尤其适合低曝光能量、多波长兼容、高温与中厚膜干法刻蚀的光刻场景。

一、核心应用场景

1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件          许总：15220133370

4H?SiC 台面、JTE、场限环、RESURF、终端结构

SiC 欧姆接触、注入区、栅区、场板光刻

GaN 器件栅电极、场板、保护层、互连线图形

适配 180℃高温退火、沉积、热处理 工艺

2. 超高感光度需求的厚膜光刻

曝光能量低、光强弱的接近式 / 接触式光刻机

厚膜快速曝光、提升产能

对曝光剂量敏感的工艺场景

3. 多波长曝光设备兼容工艺

同时支持 365nm (i-line)、406nm、436nm (g-line)

实验室 / 产线多机台通用光刻胶

老款光刻机 + 新款光刻机混用场景

4. 中厚膜 RIE 干法刻蚀掩模

硅、SiC、GaN、玻璃、陶瓷中深度刻蚀

要求耐高温、抗等离子体、不变形

侧壁均匀、无翘边、无底切

5. MEMS、传感器、光电器件

压电 MEMS、声学器件、惯性传感器

微悬臂梁、微桥、微腔、光波导结构

膜厚均匀、图形精度高

6. 中等厚度金属剥离 / 电镀掩模

中等厚度金属（Ti/Au、Ni/Au、Cu）剥离

功率器件电极、探针电极、大电流互连线

附着力强、显影干净

7. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻

玻璃、陶瓷基底中厚膜图形

光电器件、传感器、封装基板

玻璃基板：烘烤时间 ×3.5

二、最适合使用 NR7G-6000P 的情况

需要 5–12μm 中厚膜

曝光设备光强弱、能量低（接触式 / 接近式）

要求超高感光度、超快曝光（5mJ/cm2·μm）

需兼容 365/406/436nm 多波长

工艺温度 最高 180℃

必须经过 RIE 干法刻蚀

希望快显影、易去胶

一、产品定位与描述

NR7G-6000P 是面向中厚膜图形化的负性光刻胶，支持365nm(i-line)、406nm、436nm(g-line) 多波长紫外曝光，兼容步进机、投影光刻机、接近 / 接触式光刻机。配方与工艺兼顾职业安全与环保，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。

二、核心优势

分辨率优异，满足中厚膜高精度图形加工

超高感光度（5mJ/cm2?μm），曝光效率极高

显影速度快，大幅提升制程效率

耐高温性强，可承受 180℃ 高温环境

抗 RIE 干法刻蚀性能优异

去胶便捷，使用RR41可轻松去除

多波长曝光兼容，设备适配性更广

三、关键理化参数

外观：浅黄色液体

固含量：40%–45%

主溶剂：环己酮（cyclohexanone）

涂覆性：非常均匀、无条纹

感光度（365nm）：5mJ/cm2（1μm 厚膜）

保质期：25℃室温存储 1 年

四、膜厚与旋涂参数

表格

旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 100℃软烘 300s 后膜厚 (nm)

800 40 11500–12500

1000 40 11020–12180

2000 40 7011–7749

3000 40 5700–6300

4000 40 4978–5502

五、标准工艺流程

旋涂涂胶：目标转速旋涂40s

软烘：100℃热板烘烤 300s

多波长曝光：365/406/436nm 任选

曝光后烘烤：100℃热板烘烤 300s

显影：RD6: 水 = 3:1稀释液浸泡；6μm 膜厚显影约 25s

冲洗：去离子水冲洗至...