NR7-3000P 干法刻蚀负胶

适合2–6μm 中等膜厚、需要高温 + 干法刻蚀 + 高精度侧壁的工艺。

NR7-3000P 是适用于 365nm 紫外曝光的中薄层负性光刻胶，可实现 2.14–6.3μm 薄膜图形化，显影后具有优异的垂直侧壁轮廓，同时具备高分辨率、高感光度、耐高温（180℃）、抗 RIE 干法刻蚀、易去除等特点，且在室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域，尤其适合需要高精度垂直侧壁、高温工艺与中薄层干法刻蚀的光刻场景。

一、核心应用场景

1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件                                                许总：15220133370

4H?SiC 终端结构：JTE、场限环、RESURF、浅台面

SiC 欧姆接触、注入区、栅区光刻掩模

GaN 器件栅电极、场板、薄层保护掩模

适配180℃高温退火、沉积、热处理工艺

2. 中薄层 RIE 干法刻蚀掩模

硅、SiC、GaN、玻璃浅槽 / 浅台面刻蚀

侧壁要求高垂直、高精度的微结构

抗等离子体强，不翘边、不腐蚀、不底切

3. MEMS、传感器、光电器件

压电薄膜、表面微机械、微型传感器

悬臂梁、微桥、反射镜、光波导结构

要求均匀性好、侧壁直、可去胶

4. 中厚金属剥离 / 湿法刻蚀掩模

中等厚度金属（Ti/Au、Ni/Au、Al）剥离

探针台电极、互连线、功率器件电极图形

附着力强、显影干净、适合高精度图形

5. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻

玻璃、陶瓷基底的中薄层图形

光电器件、传感器、封装基板

玻璃基板：烘烤时间 ×3.5

6. 高温稳定保护层 / 阻挡层

沉积、清洗、退火前的高温保护掩模

180℃ 不流胶、不变形、不脱落

二、最适合使用 NR7-3000P 的情况

需要 2–6μm 中等膜厚

要求显影后侧壁垂直（straight sidewall）

工艺温度 最高 180℃

必须经过 RIE 干法刻蚀

希望室温存放、保质期 3 年

只有 365nm 光刻机

最终要易去胶、无残胶

一、产品定位与描述

NR7-3000P 是面向薄层图形化的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机；显影后可形成垂直侧壁轮廓，配方与工艺兼顾职业安全与环保，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。

二、核心优势

分辨率优异，满足薄层高精度图形加工

显影与感光速度快，提升制程效率

显影后侧壁垂直，图形精度高

耐高温性强，可承受 180℃ 高温

抗 RIE 干法刻蚀性能优异

去胶便捷，可用 RR4 或丙酮去除

超长保质期，25℃室温可存放 3 年

三、关键理化参数

外观：浅黄色液体

固含量：31%–35%

主溶剂：环己酮（cyclohexanone）

涂覆性：非常均匀、无条纹

感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）

保质期：25℃室温存储 3 年

四、膜厚与旋涂参数

表格

旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 150℃软烘 60s 后膜厚 (nm)

800 40 5700–6300

3000 40 2850–3150

4000 40 2460–2720

5000 40 2140–2326

五、标准工艺流程

旋涂涂胶：目标转速旋涂40s

除边珠：使用EBR2处理晶圆底部边缘10s

软烘：150℃热板烘烤 60s

365nm 紫外曝光

曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s

显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；3μm 膜厚显影约 30s

冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标

干燥

去胶：RR4 去胶剂或丙酮

六、基板适配要求

良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行

低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍

七、操作安全规范

本品为易燃液体，远离热源、火花、明火

操作环境需充分通风

禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴

佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣