NR7-1500P精细图形干法刻蚀负胶
专门用于薄层精细图形、高温工艺、干法刻蚀场景。
NR7-1500P 是适用于 365nm 紫外曝光的薄层负性光刻胶，可实现 1.14–3.15μm 薄膜图形化，具备高分辨率、高感光度、优异的耐高温性（180℃）与抗 RIE 干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件 等领域，尤其适合薄层精细图形加工、高温半导体工艺与浅深度干法刻蚀掩模。
核心应用场景
1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H?SiC 终端结构（JTE、RESURF、场限环）薄层光刻 许总：15220133370
SiC 栅介质、欧姆接触区、注入掩模
GaN 器件栅电极、场板、保护层光刻
适合高温退火、沉积前后的薄层掩模
2. RIE 干法刻蚀薄层掩模
硅、SiC、GaN、玻璃的薄层刻蚀掩模
浅槽、浅台面、表面微结构加工
抗等离子体强，不翘边、不腐蚀
3. 高温兼容半导体工艺
工艺温度高达 180℃ 的稳定掩模
介质沉积、金属沉积、热处理前保护
高温不流胶、不脱落、尺寸稳定
4. 微细图形光刻（MEMS / 传感器）
压电薄膜、表面微机械、微型传感器
高精度细线宽、小图形结构
均匀性好，适合精密器件
5. 金属剥离 / 湿法刻蚀掩模
薄层金属（Ti/Au、Ni/Au）剥离工艺
欧姆电极、探针电极、互连线图形化
附着力好，显影干净，无底切
6. 光电器件与封装工艺
光电探测器、LED 台面光刻
玻璃 / 陶瓷基底薄层光刻（烘烤时间 ×3.5）
封装层、保护层图形化
最适合使用 NR7-1500P 的情况
需要 1–3μm 薄层光刻
工艺温度 ＞100℃，最高 180℃
必须经过 RIE 干法刻蚀
希望室温存放、保质期 3 年
只有 365nm 光刻机
要求易去胶、无残胶、不损伤基底
一、产品定位与描述
NR7-1500P 是专用于薄层图形化的负性光刻胶，适配365nm紫外曝光设备（步进机、投影光刻机、接近 / 接触式光刻机）。配方与工艺兼顾职业与环境安全，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。
二、核心优势
分辨率优异，满足薄层精细图形加工
感光速度快，提升曝光产能
显影速度快，工艺效率高
耐高温性强，可耐 180℃ 高温
抗 RIE 干法刻蚀性能优异
去胶简便，可用 RR4 或丙酮去除
超长保质期，25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：24%–28%
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 150℃软烘 60s 后膜厚 (nm)
800 40 2850–3150
1000 40 2565–2835
2000 40 1805–1995
3000 40 1425–1575
4000 40 1235–1365
5000 40 1140–1260
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；1.5μm 膜厚显影约 12s（可按 RD6: 水 = 3:1 稀释至 60s）
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4 去胶剂或丙酮
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、操作安全规范
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR7-1500P 的膜厚范围、典型工艺温度与感光度是多少？
答：膜厚范围1140–3150nm；软烘150℃/60s、曝光后烘100℃/60s；365nm 感光度21mJ/cm2·μm。
NR7-1500P 的显影条件与去胶方式是什么？1.5...
