NR4-8000P厚膜负性光刻胶 许总：15220133370
NR4-8000P 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现 6.5–105μm 厚胶图形化，具备高分辨率、高感光度、优异的耐高温性（100℃）与抗 RIE 干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、TSV/TGV、玻璃 / 陶瓷基板 等领域，尤其适合需要耐高温、抗等离子体刻蚀的厚胶光刻与高深宽比结构加工。
核心应用场景（最匹配、最常用）
1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H-SiC 高压器件台面刻蚀、JTE、深槽、终端结构光刻
GaN 器件栅场板、厚金属电极、保护掩模
耐高温、抗刻蚀，完美适配 SiC 高温工艺环境
2. RIE 干法刻蚀掩模（最强优势）
硅、SiC、玻璃、氮化铝等材料的高深宽比干法刻蚀掩模
TSV、TGV、深槽、微腔结构厚胶掩模
耐等离子体轰击，侧壁垂直、不卷曲、不腐蚀
3. MEMS 微结构加工
悬臂梁、微桥、压电层、声学器件厚胶图形化
需耐高温、抗刻蚀、可去胶的 MEMS 工艺
一次涂胶实现厚膜，适合高深宽比结构
4. 微纳电镀工艺
厚金、厚铜、厚镍电镀掩模
功率器件大电流电极、RDL 重布线、微线圈
附着力强，电镀不浮胶、不翘边
5. 高温兼容半导体工艺
需100℃高温稳定的后道工艺
沉积、退火、清洗等高温步骤前的保护掩模
工艺窗口宽，不易变形、脱膜
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻
玻璃通孔 TGV、陶瓷基板厚电极
传感器、光电器件厚胶图形化
适配非硅基底，涂覆均匀、无条纹
二、最适合用 NR4-8000P 的情况
需要 6.5–105μm 厚膜一次旋涂
工艺涉及 RIE 干法刻蚀（普通胶扛不住）
工艺温度较高，要求 耐 100℃
希望室温保存、保质期长（3 年）
设备只有 365nm i-line 光刻机
最终需要易去胶、无残胶
最适合用 NR4-8000P 的情况
需要 6.5–105μm 厚膜一次旋涂
工艺涉及 RIE 干法刻蚀（普通胶扛不住）
工艺温度较高，要求 耐 100℃
希望室温保存、保质期长（3 年）
设备只有 365nm i-line 光刻机
最终需要易去胶、无残胶
一、产品定位与核心特性
NR4-8000P 是面向厚膜光刻的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式 / 接触式光刻机；配方与工艺兼顾职业安全与环保，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。
二、核心优势
分辨率优异，满足厚膜高精度图形化
感光度高（21mJ/cm2?μm），曝光效率高
显影速度快，提升制程效率
耐高温，可承受 100℃ 高温环境
抗 RIE 刻蚀性能优异，适配干法刻蚀工艺
去胶便捷，使用RR41可轻松去除
超长保质期，25℃室温下可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：39%–43%
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂 / 烘烤参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 软烘 1（80℃） 软烘 2（150℃） 曝光后烘烤（80℃） 膜厚 (nm)
500 5 300s 450s 600s 95000–105000
1000 5 300s 120s 300s 47000–53000
2500 5 0s 60s 300s 18000–22000
2000 40 0s 60s 180s 9000–10000
3000 40 0s 60s 180s 8000–8300
4000 40 0s 60s 180s 6500–6800
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：按目标膜厚选择转速
除边珠：涂胶后立即用EBR2去除边缘珠边
软烘：按膜厚选择 80℃/150℃组合
365nm 紫外曝光：曝光剂量 = 膜厚 (μm)×21mJ/cm2
曝光后烘烤：80℃
显影：RD6 显影液，20–25℃，8μm 膜厚显影120s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR41 去胶剂，100℃ 条件下去除
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs、InP）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃、陶瓷）：需延长烘烤时间
七、操作安全规范
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR4-8000P 最突出的产品优势是什么？与常规厚胶有何关键差异？
答：核心优势为25℃室温下保质期长达 3 年、耐 100℃高温、抗 RIE 刻蚀性强；关键差异是主溶剂为环己酮，无需低温储存，耐高温与抗刻蚀更适合干法刻蚀工艺。
NR4-8000P 的曝光剂量如何计算？8μm 厚膜的典型显影时间是多少？
答：曝光剂量 = 膜厚 (μm)×21mJ/cm2；8μm 厚膜在RD6 显影液、20–25℃条件下，显影时间为120s。
NR4-8000P 的工艺流程中，有哪些特殊步骤与基板适配要求？
答：特殊步骤是涂胶后需立即用EBR2去除边缘珠边；基板适配要求为硅 / GaAs/InP 按标准工艺，玻璃 / 陶瓷等低热导基板需延长烘烤时间。
