NR2-20000P厚膜型负性光刻胶 许总：15220133370
NR2-20000P是 FUTURREX 推出的厚膜型负性光刻胶，适配365nm紫外曝光设备，具备高分辨率、高感光度（21mJ/cm2）、显影快、电镀附着力优异、易去除等优势，主溶剂为γ- 丁内酯，固含量50%–56%，5℃储存保质期 1 年，可通过旋涂转速与烘烤参数获得18000–105000nm厚膜，适配硅、GaAs、玻璃等基板，显影用RD6、去胶用RR4 / 丙酮，使用时需注意防火与安全防护。主要用于4H?SiC 功率器件、MEMS、高压结构的厚胶光刻工艺
应用工艺：
1. 第三代半导体：SiC / GaN 功率器件（最核心、最常用）
4H?SiC 高压器件 厚金属场板、源漏电极 电镀掩模
SiC 台面终端、深槽、边缘终端结构光刻
GaN 功率器件 厚金属布线、场板 图形化
适用：1200V/1700V/6500V 高压 SiC 器件
2. MEMS 微结构加工
高深宽比悬臂梁、微桥、微腔、微通道
压电 MEMS、声学器件厚电极图形化
适合需要 厚胶、垂直侧壁、可去胶 的结构
3. 微纳电镀工艺（最大强项）
厚金、厚铜、厚镍电镀掩模
微电感、微线圈、射频器件金属结构
芯片 RDL 重布线、凸点 / Bump 加厚
优势：电镀不浮胶、不翘边、无钻蚀
4. 高深宽比刻蚀掩模
硅深槽、TSV、玻璃穿孔 TGV 厚胶掩模
干法 / 湿法刻蚀厚膜保护层
一次涂胶即可满足高厚度掩模需求
5. 微流控与生物芯片
PDMS 模具、微流道结构
生物芯片微腔、过滤结构
环保显影，适合生物兼容工艺
6. 功率器件与汽车电子
IGBT、MOSFET 厚电极图形化
汽车电子、大功率模块大电流电极
耐高温、附着力强
一、产品定位与基本属性
NR2-20000P 是面向厚膜光刻应用的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、投影光刻机、接近式 / 接触式曝光机。
外观：浅黄色液体
固含量：50%–56%
主溶剂：γ- 丁内酯（gammabutyrolactone）
显影体系：碱性水溶液
保质期：5℃储存条件下 1 年
二、核心优势
分辨率优异，满足厚膜高精度图形化
感光度高（21mJ/cm2），曝光效率高
显影速度快，提升制程效率
电镀工艺附着力极佳
去胶便捷，可用 RR4 或丙酮去除
配方与工艺兼顾职业安全与环保
三、膜厚与旋涂 / 烘烤参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 软烘 1（70℃） 软烘 2（150℃） 曝光后烘烤（80℃） 膜厚 (nm)
1500 10 20min 270s 600s 95000–105000
2700 10 — 120s 300s 45000–55000
3000 40 — 60s 180s 18000–22000
四、感光度与曝光计算
365nm 感光度：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
曝光剂量 = 膜厚 (μm) × 21mJ/cm2
曝光时间 (s) = 曝光剂量 (mJ/cm2) ÷ 光强 (mW/cm2)
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：按目标膜厚选择转速
软烘：按膜厚选择 70℃/150℃参数
365nm紫外曝光
曝光后烘烤：80℃
显影：RD6 显影液，20–25℃，喷淋 / 浸泡
去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4 去胶剂或丙酮
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
导热差基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、操作安全规范
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
必须佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR2-20000P 的核心定位、感光度及适配波长是什么？
答：它是厚膜用负性光刻胶，适配365nm紫外曝光；365nm 感光度为 21mJ/cm2（1μm 厚膜）。
如何通过工艺参数获得不同膜厚？最大 / 最小膜厚分别是多少？
答：通过调整旋涂转速 + 软烘 + 曝光后烘烤组合实现；最大膜厚105000nm（1500rpm），最小膜厚18000nm（3000rpm）。
NR2-20000P 的显影 / 去胶试剂、基板适配差异及安全风险是什么？
答：显影用RD6，去胶用RR4 或丙酮；硅 / GaAs 按标准工艺，玻璃基板烘烤时间需 ×3.5；核心风险为易燃，需远离明火并做好防护。
