NR2-8000P 厚膜负胶
NR2-8000P是 FUTURREX 推出的厚膜用负性光刻胶，适配365nm紫外曝光设备，具备高分辨率、高感光度、显影快、附着力优、易去除、保质期≥1 年等优势，主溶剂为γ- 丁内酯，显影液为碱性水溶液，工艺涵盖旋涂、软烘、曝光、后烘、显影、去胶等步骤，可通过转速调控获得6500–105000nm厚膜，365nm 感光度为 46mJ/cm2，存储条件5℃下保质期 1 年，使用时需注意防火与防护。
应用工艺：
1. 第三代半导体：SiC / GaN 功率器件（最核心、最常用）
4H?SiC 高压器件 厚金属场板、源漏电极 电镀掩模
SiC 台面终端、深槽、边缘终端结构光刻
GaN 功率器件 厚金属布线、场板 图形化
适用：1200V/1700V/6500V 高压 SiC 器件
2. MEMS 微结构加工
高深宽比悬臂梁、微桥、微腔、微通道
压电 MEMS、声学器件厚电极图形化
适合需要 厚胶、垂直侧壁、可去胶 的结构
3. 微纳电镀工艺（最大强项）
厚金、厚铜、厚镍电镀掩模
微电感、微线圈、射频器件金属结构
芯片 RDL 重布线、凸点 / Bump 加厚
优势：电镀不浮胶、不翘边、无钻蚀
4. 高深宽比刻蚀掩模
硅深槽、TSV、玻璃穿孔 TGV 厚胶掩模
干法 / 湿法刻蚀厚膜保护层
一次涂胶即可满足高厚度掩模需求
5. 微流控与生物芯片
PDMS 模具、微流道结构
生物芯片微腔、过滤结构
环保显影，适合生物兼容工艺
6. 功率器件与汽车电子
IGBT、MOSFET 厚电极图形化
汽车电子、大功率模块大电流电极
耐高温、附着力强
最适合使用 NR2-8000P 的情况
需要 6.5–105μm 厚胶 一次旋涂
用于 电镀 或 湿法刻蚀，要求高附着力
工艺必须 易去胶、无残胶、不损伤基底
设备只有 365nm i-line 光刻机
追求 高感光度、快曝光、快显影、高产能
基板：硅、GaAs、InP、SiC、GaN 等
一、产品定位与核心特性
NR2-8000P 是面向厚膜应用的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、投影光刻机、接近式 / 接触式曝光机。
外观：浅黄色液体
固含量：45%–50%
主溶剂：γ- 丁内酯（gammabutyrolactone）
显影体系：碱性水溶液
保质期：5℃存储下≥1 年
二、产品优势
分辨率优异，满足厚膜精细图形化
感光度高，提升曝光产能
显影速度快，工艺效率高
电镀与湿法刻蚀附着力强
去胶简便，可使用 RR41 去除
配方与工艺兼顾职业与环境安全
三、膜厚与旋涂 / 烘烤参数（核心表格）
表格
转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 软烘 1 (80℃) 软烘 2 (150℃) 曝光后烘 (80℃) 膜厚 (nm)
500 5 300s 450s 600s 95000–105000
1000 5 300s 120s 300s 47000–53000
2000 5 0s 60s 300s 18000–22000
2500 40 0s 60s 180s 9000–10000
3000 40 0s 60s 180s 8000–8300
4000 40 0s 60s 180s 6500–6800
四、感光度与曝光计算
365nm 感光度：46mJ/cm2（对应 1μm 厚膜）
曝光剂量 = 膜厚 (μm) × 46mJ/cm2
曝光时间 (s) = 曝光剂量 (mJ/cm2) ÷ 光强 (mW/cm2)
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：按目标膜厚选择转速
软烘：按膜厚选择 80℃/150℃组合
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：80℃
显影：RD6 显影液，20–25℃，喷淋 / 浸泡
去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：使用RR41 去胶剂
六、工艺适配与注意
适配硅、GaAs、InP 等良导热基板
导热差基板需校正热板温度，用热电偶测表面温度
显影时曝光区无膜厚损失，否则为曝光 / 烘烤异常
七、操作安全
属于易燃液体，远离热源、火花、明火
需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套与防护衣
4. 关键问题与答案
NR2-8000P 的目标应用、适配波长与感光度是多少？
答：用于厚膜光刻，适配365nm紫外曝光；365nm 感光度为 46mJ/cm2（1μm 厚膜）。
如何通过转速与烘烤获得不同厚度的胶膜？最大 / 最小膜厚分别是多少？
答：转速 500–4000rpm 可调，配合 80℃/150℃软烘与 80℃曝光后烘；最大膜厚约 105000nm（500rpm），最小约 6500nm（4000rpm）。
NR2-8000P 的显影、去胶试剂与核心安全风险是什么？
答：显影用RD6 显影液（20–25℃），去胶用RR41；核心风险为易燃，需远离热源明火，避免接触与吞食。
