P-240是 Desert Silicon 推出的高浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃，核心含Si、O、P，磷浓度达 4×1021 atoms/cm3，3000rpm旋涂可形成200nm厚薄膜，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，200℃起始固化、650℃以上强化，纯度可达<1ppm 或 < 50ppb，具备无 POCl?风险、高纯度、成膜均匀、可吸附钠离子等优势，主要用于半导体高浓度磷掺杂。
一、产品基本信息
- 产品全称：Spin-on-Glass P-240
- 产品类型：高浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
- 生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目
关键信息
目标元素
Si、O、P
磷原子浓度
4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素
磷（Phosphorus）
粘度
1.2 cps
旋涂成膜厚度
200 nm（3000
rpm）
固化起始温度
200℃
强化温度
650℃及以上
保质期
20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级
<1 ppm 或
<50 ppb
三、产品优势
- 高浓度磷掺杂，满足半导体重掺杂需求
- 无需 POCl?，运输与使用更安全简便
- 维护与使用成本更低
- 高纯度材料，杂质控制严格
- 薄膜涂覆均匀，一致性优异
- 熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更好
- 工艺稳定，不受流量影响
- 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
- 磷可吸附钠与其他移动离子，提升器件可靠性
四、典型应用
- 应用领域：半导体磷掺杂工艺
- 工艺特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；升温至650℃以上，膜层强度持续提升；建议按后续工艺最高温度烘烤
- 处理方式：掺杂完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
- 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
- 替代产品：P-210、P-220、P-230、P-250
- 可添加元素：As、Sb、Bi，支持多元素复配与化合物半导体专用配方
六、免责与安全提示
- 文档信息不提供任何明示或暗示担保
- 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
- 健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
- 问题：P-240 的掺杂浓度、成膜条件与核心物理参数是什么？
答案：磷掺杂浓度为4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂形成200nm薄膜；粘度1.2cps，纯度可达 <1ppm 或 < 50ppb。
- 问题：P-240 的固化温度区间、独特功能与工艺优势有哪些？
答案：200℃起始固化，650℃以上强化；可吸附钠等有害移动离子；优势为高浓度掺杂、无 POCl?风险、低成本、工艺稳定。
- 问题：P-240 的应用场景、保质期与可替代产品分别是什么？
答案：用于半导体高浓度磷掺杂，掺杂后玻璃可去除；20℃保质期 3 个月、4℃9 个月；替代产品为P-210、P-220、P-230、P-250。
