SU-8 体系黑色环氧负胶PCCPI 1070 black
PCCPI 1070 black 是 15–200μm 超厚型黑色 SU-8 光环氧负胶，专为高深宽比 MEMS、微流控、厚层电镀模具与工业传感器设计，机械强度高、侧壁垂直、遮光性好
核心应用场景
1、超厚膜 MEMS 微机械结构（最核心）
厚度 15–200μm 超高结构：悬臂梁、微马达、齿轮、振动质量块 许总：15220133370
高深宽比、侧壁垂直、机械强度极高
黑色版本：遮光、吸光、光屏蔽一体结构
2、高深宽比微流控芯片
高深度微通道、反应腔、过滤结构、微混合器
厚层通道无需多次涂胶，一次成型
化学稳定性好、生物兼容
3、厚层电镀模具 / 微电铸
镍、铜、金厚层电镀模具
深度可达 200μm 的电铸模具
图形精度高、脱模性好
4、热压印 / 纳米压印厚模板
塑料热压印、微结构复制模具
耐磨、硬度高、寿命长
可做 50–200μm 厚模板
5、喷墨打印头喷嘴 & 光屏蔽结构
高厚度喷嘴孔、限流结构、光吸收层
黑色 SU-8 完全遮光，适合光学器件
耐高温、耐化学腐蚀
6、大功率传感器 / 工业传感器
压力传感器、惯性传感器、流量传感器
厚层结构抗震、稳定性更强
适合工业级苛刻环境
7、微线圈、电磁器件、执行器
3D 电磁结构、厚层线圈骨架
绝缘性好、图形精度高
可配合金属填充 / 电镀
8、科研 / 高校超厚结构微加工
业内最稳定的 10–200μm 厚胶
工艺成熟、文献最多、良率最高
从 15μm 到 200μm 全覆盖
一、产品基础信息
型号：PCCPI 1070 black
类型：环氧基化学增幅负性光环氧胶（SU-8 体系）
适用膜厚：15–200μm（最高可达 250μm）
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line 宽波段）
显影 / 漂洗：PGMEA显影 + 异丙醇 (IPA) 漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、标准工艺流程
基底处理
130℃烘烤≥20 分钟除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
转速：200–5000rpm，时间40–100s
加 / 减速：100rpm/s
松弛：30 分钟–1 小时（厚膜建议更长）
两步软烘（SB）
室温→65℃（2℃/min），保持15–30min
65℃→95℃（2℃/min），保持35min–4 小时
自然冷却至室温
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：800–2500mJ/cm2（随厚度增加）
曝光后延迟：≥10 分钟
两步曝光后烘烤（PEB）
同软烘温度曲线，95℃保持30–40min
显影与漂洗
PGMEA 浸泡显影，通透后延长 10% 时间
IPA 漂洗至无白色痕迹
自然风干
可选硬烘：135℃/2 小时（修复微裂纹）
去除：专用 Gersteltec 剥离液
三、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间
15μm 5000rpm 800mJ/cm2 2min
25μm 3100rpm 950mJ/cm2 3min
50μm 1700rpm 1400mJ/cm2 4min
100μm 900rpm 1800mJ/cm2 5min
150μm 650rpm 2200mJ/cm2 8min
200μm 400rpm 2500mJ/cm2 22min
四、核心性能特点
超厚膜能力：稳定覆盖15–200μm，最高可达250μm
高深宽比：侧壁接近 90° 垂直，结构强度优异
黑色遮光：适合光学屏蔽、吸光结构
工艺稳定：松弛与梯度烘烤降低内应力、减少裂纹
五、主要应用
超厚膜 MEMS 微机械结构（悬臂梁、齿轮、微马达）
高深宽比微流控芯片、传感器
厚层电镀模具、电铸、热压印印章
喷墨打印喷嘴、LCD 隔垫物、多芯片组件
4. 关键问题
问题：PCCPI 1070 black 的适用膜厚范围与标准曝光波段是什么？
答案：稳定适用15–200μm超厚膜，最高可达250μm；标准曝光为 i-line (365nm) 紫外波段。
问题：该胶的软烘与 PEB 为何采用两步温度曲线，核心温度点是多少？
答案：采用65℃→95℃两步梯度升温（速率 2℃/min），目的是平缓去除溶剂、降低内应力、避免厚膜裂纹，保证交联均匀与结构完整。
问题：200μm 厚膜对应的曝光剂量与显影时间分别是多少，显影需注意什么？
答案：200μm 厚膜曝光剂量2500mJ/cm2，显影时间22 分钟；显影需在通透后延长 10% 时间，严禁过显，否则会导致厚胶结构脱落。
