陶氏KrF正胶UV135G

UV135G 是陶氏 KrF 整合型光刻胶，0.35–1.0μm 膜厚，支持 Metal/Via/LS 三合一工艺，180nm 高分辨率，广泛用于 180nm 成熟制程、逻辑芯片、MCU 及 MEMS 量产。

核心应用场景

1、180nm KrF 制程量产（最核心）

专为 180nm 工艺节点 逻辑 / 芯片设计

一支胶搞定 线条 + 通孔 + 金属层 全流程    许总：15220133370

宽工艺窗口，量产良率高、稳定性强

2、Metal / Via / LS 三合一整合光刻

金属走线层（Metal）

接触孔 / 通孔层（Via）

线宽 / 间距层（Line/Space）

工厂少胶化、标准化首选

3、180nm～500nm 全图形光刻

180nm 精细线宽 / 间距

250nm 密集沟槽

500nm 接触孔、孤立点

图形一致性好、Iso-Dense 偏差小

4、中薄膜 KrF 光刻（0.35～1.0μm）

薄膜关键层：栅极、字线、位线

中膜层：金属线、通孔

涂敷均匀、无条纹、边缘干净

5、半导体逻辑 / 闪存 / MCU 量产

180nm 成熟制程主流平台

搭配 AR3 抗反射层 + MF CD-26 显影

整线材料高度匹配、缺陷少

6、MEMS、传感器、功率器件

中等线宽、沟槽、电极结构

工艺宽容度高、容易调机

适合中试线与稳定量产

一、产品概述

UV135G 是陶氏电子材料推出的KrF（248nm）正性光刻胶，面向整合式光刻工艺，可同时满足金属层、通孔层、线宽层加工需求，是 180nm 节点的通用型材料。

二、核心特性

工艺整合：一支胶兼容Metal、Via、LS三类关键层

膜宽范围：0.35μm ~ 1.0μm

图形能力：覆盖线宽 / 沟槽 / 接触孔 / 孤立点全图形

配套性：标准适配MF CD-26 显影液

三、光刻关键性能

表格

图形类型 膜厚 最佳能量 关键指标

180nm 线宽 / 间距 390nm 29.0 mJ/cm2 焦深0.48μm@10%EL

250nm 密集沟槽 900nm 25.0 mJ/cm2 轮廓规整

500nm 孤立接触孔 825nm 22.0 mJ/cm2 孔型均匀

四、标准工艺条件

表格

工艺步骤 参数

软烘（SB） 120℃ / 60~90sec

曝光 0.60~0.70NA，Binary 掩模

曝光后烘烤（PEB） 130℃ / 60~90sec

显影 MF CD-26，23℃，30~60sec

五、型号与膜厚

UV135G-0.4：~0.4μm

UV135G-0.5：~0.5μm

UV135G-0.9：~0.9μm

4. 关键问题

问题：UV135G 的核心定位与适用膜厚范围是什么？

答案：核心定位是KrF 整合工艺专用光刻胶，可同时用于Metal、Via、LS层；适用膜厚0.35μm~1.0μm。

问题：该胶在 180nm 线宽条件下的焦深与曝光能量是多少？

答案：最佳曝光能量29.0 mJ/cm2，焦深0.48μm（@10% 曝光宽容度）。

问题：UV135G 的标准 PEB 温度与推荐显影液是什么？

答案：PEB 温度为130℃；推荐显影液为MF CD-26。