罗门哈斯DUV正胶UV217?0.35
UV217-0.35 是 DUV 深紫外专用正性光刻胶，面向 120–140nm 密集沟槽与 STI 工艺，适配高 NA 机台与 PSM 掩模，广泛用于 90–110nm 先进逻辑、存储芯片及高深宽比微结构制造。
核心应用场景
1、120nm–140nm 密集沟槽光刻（最核心）
专为 深亚微米级高密度沟槽（Trench） 结构设计 许总：15220133370
STI 浅沟槽隔离、深沟槽电容、高深宽比沟槽
轮廓垂直、均匀性好、CD 控制稳定
2、DUV 先进逻辑 / 存储芯片制程
90nm–110nm 节点前道关键层光刻
匹配 0.70–0.80NA 高端 DUV 光刻机
适合高性能逻辑、DRAM、Flash 阵列区
3、相移掩模（PSM）高精度工艺
搭配 6% 衰减型相移掩模 使用
大幅提升分辨率与焦深窗口
先进光刻方案标配材料
4、高均匀性薄膜光刻
标准膜厚 3510?，薄膜工艺稳定
适合对膜厚均匀性要求极高的关键层
无条纹、无缺陷、覆盖率好
5、浅沟槽隔离（STI）光刻
半导体器件隔离区核心工艺
沟槽尺寸精准、侧壁陡峭
满足后续刻蚀与填充要求
6、高深宽比微结构制造
MEMS、传感器、功率器件的深沟槽结构
DUV 高精度图形化，精度远超 g/i-line
适合科研与小批量先进器件开发
一、产品基础信息
型号：UV217-0.35
类型：DUV 深紫外正性光刻胶
定位：密集沟槽（Trench）专用
厂商：Shipley（ROHM AND HAAS）
二、标准工艺条件
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工艺步骤 参数
基底 8 英寸硅片
底部抗反射层 AR3-600（600?），205℃/60s
光刻胶膜厚 3510? ±15?
软烘（SB） 130℃ / 60s
曝光 ASML PAS 5500/800，环形照明，6% 衰减 PSM 掩模
曝光后烘烤（PEB） 125℃ / 60s
显影 MF CD-26，45s 单喷
三、光刻核心性能（不同 NA 对比）
表格
指标 0.70NA（140nm 沟槽） 0.75NA（130nm 沟槽） 0.80NA（120nm 沟槽）
基础感光度 E? 14.2 mJ/cm2 14.20 mJ/cm2 14.20 mJ/cm2
最佳曝光能量 Es 64.33 mJ/cm2 62.64 mJ/cm2 65.31 mJ/cm2
Es/E? 4.53 4.41 4.60
曝光宽容度 EL ≥13.5% ≥13.5% ≥10%
焦深 DoF ≥0.6μm ≥0.6μm ≥0.45μm
四、关键工艺特性
沟槽专用：针对120–140nm 密集沟槽优化，轮廓与均匀性优异
高 NA 适配：支持0.70/0.75/0.80NA高端 DUV 光刻机
低感光度：E?仅14.2mJ/cm2，工艺稳定性强
相移掩模匹配：搭配6% att. PSM提升分辨率与工艺窗口
显影兼容：适配MF CD-26标准显影液，量产友好
4. 关键问题
问题：UV217-0.35 的核心定位与目标图形是什么，典型膜厚是多少？
答案：核心定位是DUV 沟槽专用光刻胶，目标图形为120–140nm 密集沟槽；典型膜厚3510?。
问题：该光刻胶在 0.70NA 与 0.80NA 条件下，焦深与曝光宽容度分别是多少？
答案：0.70NA：焦深 ≥0.6μm、曝光宽容度 ≥13.5%；0.80NA：焦深≥0.45μm、曝光宽容度 ≥10%。
问题：UV217-0.35 的标准 PEB 温度、显影液与掩模类型分别是什么？
答案：PEB 温度125℃/60s；显影液MF CD-26；掩模为6% 衰减相移掩模（PSM）。
