SU-8 体系黑色环氧负胶PCCPI 1040 black

PCCPI 1040 black 是黑色 SU-8 型负性光环氧厚胶，支持 0.8–10μm 高深宽比结构，专用于 MEMS、微流控、传感器、电镀模具与微流控芯片制造。

核心应用场景

1、MEMS 微机械结构制造（最核心）  许总：15220133370

悬臂梁、齿轮、微马达、振动结构

高深宽比、侧壁垂直、机械强度高

黑色版本适合光屏蔽、吸收型结构

2、微流控芯片（Microfluidics）

微通道、反应腔、混合器、过滤结构

0.8–10μm 厚度范围全覆盖

化学稳定性好、生物兼容

3、传感器结构层

压力传感器、惯性传感器、流量传感器

图形精度高、结构稳定、耐高温

适合封装与保护层

4、电镀模具 / 微电铸 Molding

金、镍、铜电镀模具与通孔填充

高纵横比模具首选 SU-8 体系

脱模性好、精度高

5、热压印印章 / 纳米压印模板

塑料热压印、微结构复制

硬度高、耐磨、寿命长

可做 1–10μm 高精度模板

6、喷墨打印头喷嘴 / 光屏蔽结构

喷嘴孔、限流结构、遮光层

黑色 SU-8 可吸收光线、减少反射

适合光学器件、显示隔垫

7、多芯片组件 / 晶圆级保护层

层间绝缘、图形化保护层、缓冲层

耐高温、耐化学腐蚀

适用于中后道微组装工艺

8、微加工科研 / 高校实验室通用胶

最稳定、最常用的厚胶负胶

工艺成熟、资料多、好调机

从 1μm 到 10μm 全覆盖

一、产品基础信息

型号：PCCPI 1040 black

类型：SU-8 体系负性光环氧胶

适用膜厚：0.8–5μm（良率可达 10μm，最高 28μm）

曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line）

显影 / 漂洗：PGMEA显影 + IPA漂洗

厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）

二、完整工艺流程

基底处理

氧等离子：500W / 7min

或 130℃ 烘烤 ≥20min 除水汽

不推荐标准 HMDS

旋涂

转速：200–5000rpm，40s

加 / 减速：100rpm/s

松弛：5–15min（提升均匀性）

两步软烘（SB）

室温→65℃（2℃/min），保持 5–10min

65℃→95℃（2℃/min），保持 5–30min

自然冷却至室温

曝光

方式：硬接触曝光

剂量：100–400mJ/cm2（i-line）

曝光后延迟：≥10min

两步 PEB

同软烘温度曲线，95℃保持 15–30min

显影与漂洗

PGMEA 浸泡显影，完成后延长 10% 时间

IPA 漂洗至无白色痕迹

自然风干

可选硬烘：135℃ / 2h（修复微裂纹）

可选去除：专用 SU-8 剥离液

三、典型工艺参数表

表格

目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间

1.0μm 3500rpm 100mJ/cm2 20s

2.0μm 1600rpm 220mJ/cm2 30s

3.0μm 1100rpm 250mJ/cm2 40s

4.0μm 800rpm 280mJ/cm2 50s

5.0μm 650rpm 290mJ/cm2 60s

四、核心光学与材料参数

曝光峰值：365nm (i-line)

折射率 / 吸收：适配紫外宽波段

热稳定性：经 135℃硬烘后结构稳定

五、主要应用

MEMS 微机械结构、微流控芯片

压力 / 惯性传感器、喷墨打印喷嘴

电镀模具、热压印印章

多芯片组件、LCD 隔垫物

4. 关键问题

问题：PCCPI 1040 的产品类型、适用膜厚范围与标准曝光波段是什么？

答案：属于SU-8 负性光环氧胶；标准膜厚0.8–5μm（良厚 10μm）；标准曝光为i-line(365nm)。

问题：该胶的软烘与 PEB 采用什么温度曲线，为何使用两步烘烤？

答案：均采用65℃保持→95℃保持的两步升温曲线（升温速率 2℃/min）；两步烘烤可平缓除溶剂、避免应力裂纹、保证交联均匀。

问题：PCCPI 1040 的显影液与漂洗液分别是什么，显影需要注意什么？

答案：显影液为PGMEA，漂洗液为IPA；显影需在通透后延长 10% 时间，且不可过显，否则会导致结构脱落。