罗门哈斯耐高温DUV正胶UV?1100

UV1100 是高温型 DUV 光刻胶，主打金属沟槽与硬掩模工艺，耐刻蚀、低间距偏置、SB/PEB 敏感度低，广泛用于 140–180nm 金属层、沟槽结构与硬掩模光刻。

核心应用场景

1、金属沟槽（Metal Trench）光刻（最核心）  许总：15220133370

铜 / 铝金属沟槽、 Damascus 工艺

高深宽比、高密度金属布线

耐高温、耐刻蚀、轮廓垂直

2、硬掩模（Hard Mask）工艺

搭配有机抗反射层（AR3）做硬掩模图形

后续刻蚀转移精度要求高

胶本身耐刻蚀性优异

3、140nm–180nm 沟槽 / 线条高精度光刻

140nm 密集沟槽

160nm 孤立沟槽 / 孤立线条

低间距偏置，Iso / Dense CD 均匀

4、高温耐受的后段工艺

工艺温度偏高、需要高温硬烤

胶不流淌、不变形、不塌陷

适合对热预算要求高的制程

5、逻辑 / 存储器件中层 / 后段布线

金属层、介质层、沟槽隔离

宽工艺窗口，量产良率高

批间一致性好

6、MEMS、光电子、微结构沟槽

高深宽比沟槽结构

轮廓垂直、粗糙度低

DUV 精度稳定可靠

一、产品概述

UV?1100 是ROHM AND HAAS研发的高温型 DUV 深紫外正性光刻胶，聚焦金属与沟槽类图形加工，适配有机抗反射层硬掩模流程，兼顾高分辨率与工艺稳定性。

二、核心优势

低间距偏置：不同间距图形 CD 差异小

优异耐刻蚀性：满足等离子刻蚀工艺要求

低工艺敏感度：对SB/PEB 温度变化不敏感

宽工艺窗口：聚焦与曝光容错空间大

高分辨率：可实现140nm精细图形

三、标准工艺条件

表格

工艺项 参数

抗反射层 AR3（600?），205℃/60s

光刻胶膜厚 3550?

软烘（SB） 130℃/60s

曝光后烘烤（PEB） 115℃/60s

显影液 MF CD-26（0.26N）

显影方式 45s Single Puddle

四、光刻分辨率

140nm 1:1 密集沟槽

160nm 孤立沟槽

160nm 孤立线条

五、光学与材料参数

表格

参数 数值

Cauchy n1 1.548

248nm 折射率 (n) 1.778

248nm 消光系数 (k) 0.013

适配型号 UV1100-0.25/0.265/0.38

六、基底与兼容

适配基底：硅、有机 / 无机抗反射层

增粘处理：HMDS 气相底涂

存储：密封、常温、远离火源

4. 关键问题

问题：UV1100 的核心定位与最适配的应用场景是什么？

答案：核心定位是高温型 DUV 正性光刻胶，最适配金属沟槽加工与有机抗反射层硬掩模工艺。

问题：UV1100 能实现的最高分辨率图形是什么，标准膜厚是多少？

答案：最高分辨率为140nm 1:1 密集沟槽；标准工艺膜厚为3550?。

问题：UV1100 的 PEB 温度、推荐显影液及核心优势分别是什么？

答案：PEB 温度为115℃/60s；显影液为MF CD-26；核心优势是低间距偏置、优异耐刻蚀性、SB/PEB 低敏感度、宽工艺窗口。