陶氏正胶剥离液MICROPOSIT? Remover 1165
Remover 1165 是刻蚀后专用低腐蚀去胶液，对 Al/Ti/W 和氧化层几乎无损伤，无需中间冲洗，广泛用于半导体、MEMS、功率器件及量产湿法 / 喷雾设备去胶。
核心应用场景
1、刻蚀后光刻胶剥离（核心）
硅、氧化物、氮化物干法刻蚀 / 湿法刻蚀后 许总：15220133370
安全去掉硬烘后的光刻胶，不咬蚀底层
半导体前后道标准去胶工序
2、敏感金属层安全去胶
铝 Al、钛 Ti、钨 W 等敏感金属线路
去胶时几乎无腐蚀（<1?），不损伤线路
金属互连带、栅极、金属电极专用
3、氧化层 / 低 k 介质上去胶
热氧化层、PETEOS、BPSG、TEOS 等介质层
不攻击、不腐蚀、不产生微坑
平坦化、ILD 层工艺适用
4、量产湿法清洗机 / 喷雾去胶设备
双槽 wet bench 全自动产线
喷雾式 strip 设备
不用中间冲洗，流程短、良率高
5、MEMS、传感器、微机械结构
结构层脆弱、不能承受高腐蚀
高深宽比沟槽、悬臂、腔体去胶
安全、干净、无残留
6、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
MOSFET、IGBT、二极管后端去胶
金属电极、场环、终端结构保护
良率稳定、适合大批量生产
7、科研 / 高校 / 中试线通用湿法去胶
操作简单、工艺宽容度大
水互溶易冲洗，无有机溶剂残留
几乎适配所有正性光刻胶
一、产品概述
MICROPOSIT? Remover 1165 是陶氏推出的高品质正性光刻胶剥离液，专为敏感基底的光刻胶剥离设计，具备水互溶、无需中间冲洗、低腐蚀特性，适用于湿法工作台与喷雾设备。
二、核心理化参数
表格
项目 数值
外观 清澈微白
闪点 88℃（闭杯）
沸点 202℃
三、标准工艺条件
设备配置：双槽系统（不锈钢 / 特氟龙 / 石英）
工作温度：75–80℃
处理时间：10–40 分钟
冲洗方式：常温 DI 水或异丙醇（IPA）
前置要求：晶圆 / 舟具需干燥，避免槽液污染
四、材料兼容性（极低腐蚀）
表格
材料类型 腐蚀量（20min@75℃）
Al / Ti / W ＜1 ?
TOx / PETEOS / BPSG ＜1 ?
五、设备材质兼容表
表格
兼容材质 不兼容材质
304/316 不锈钢 EPDM
石英 / Pyrex 玻璃 PVC/PVDF
Teflon FEP/PTFE Viton/Buna-N
Kalrez / 特氟龙包覆 O 型圈 -
六、安全与存储
存储：密封、常温、远离火源
安全：可燃液体，需接地防静电
废液：可排入有机溶剂废水系统
4. 关键问题
问题：Remover 1165 核心的工艺优势是什么，适合在什么步骤使用？
答案：核心优势是无需中间冲洗、与水完全互溶、低腐蚀；主要用于刻蚀后的光刻胶湿法剥离，保护敏感金属与氧化层。
问题：该剥离液对常见金属和氧化层的腐蚀程度是多少，体现了什么价值？
答案：对Al/Ti/W 金属和氧化层的腐蚀量均 ＜1 ?；体现极强的基底保护性，不损伤器件结构。
问题：Remover 1165 推荐使用什么设备与温度，不兼容哪些材质？
答案：推荐双槽湿法台 / 喷雾机，温度75–80℃；不兼容EPDM、PVC、PVDF、Viton、Buna-N。
