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河南省商丘市梁园区MOSFET芯片材料开发用热线
河南省商丘市梁园区MOSFET芯片材料开发用热线
  • 供应产品:河南省商丘市梁园区MOSFET芯片材料开发用热线
  • 所属行业:服务 > 咨询
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  • 发布日期:2026/6/8 22:52:58
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供应信息

高纯高浓度锌掺杂旋涂玻璃(掺杂源 + 扩散阻挡层)Spin-on-Glass Zn-640HP
高纯高浓度锌掺杂旋涂玻璃是集高浓度 P 型掺杂源与扩散阻挡层于一体的旋涂材料,主要用于化合物半导体、LED、光电器件、功率器件的高精度 P 型锌扩散,防止锌逃逸并保证掺杂均匀稳定。

核心应用场景:
1、化合物半导体 P 型掺杂(核心用途)
GaAs、InP、GaP、GaN、ZnO 等器件P 型区扩散           许总:15220133370
提供高浓度、均匀、稳定的 Zn 掺杂源
2、高温扩散中防止锌逃逸(关键功能)
扩散时阻止 Zn 从表面逸出,避免掺杂浓度不足
消除浓度梯度,让方块电阻更均匀
3、LED、光电探测器、激光器件
红光 / 红外 LED、光电二极管、探测器 P 型层制备
目标浓度:5×101?–5×101? cm?3 完美匹配器件需求
4、功率器件 & 射频器件 P 型掺杂
二极管、三极管、HEMT、整流器件
高纯(<50 ppb)无杂质污染,适合车规 / 高可靠产品
5、扩散盖帽层(Capping Layer)
配合 NDG-2000 等介质使用,形成稳定扩散保护体系
保证掺杂精度、提升良率
6、科研 / 小批量流片(MPW)
液态旋涂,无需剧毒源、无需 CVD/PVD 设备
快速做 P 型掺杂、扩散工艺验证

一、产品基本信息
产品全称:Spin-on-Glass Zn-640HP
核心组分:Si、Zn、O
产品定位:高纯高浓度锌掺杂旋涂玻璃(掺杂源 + 扩散阻挡层)
生产厂商:Desert Silicon, Inc.
二、关键性能参数
表格
参数项 数值 / 规格
锌原子浓度 4×1021 atoms/cm3
粘度 0.9 cps
折射率 1.5
旋涂成膜厚度 1800 ? @3000 rpm
20℃保质期 3 个月
4℃保质期 9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品核心优势
双重功能:既是锌掺杂源,又是扩散阻挡层,防止基底掺杂锌外逸
浓度精准可控:终目标锌掺杂浓度稳定在5×101? ~ 5×101? atoms/cm3
成膜均匀:涂层一致性优异,保证扩散均匀性与工艺重复性
超高纯度:杂质含量≤1ppm/50ppb,满足高端半导体制程要求
低熔点:熔点低于纯氧化硅,工艺兼容性更强
四、典型应用说明
核心用途:化合物半导体P 型锌扩散掺杂工艺
工作机制
表面提供4×1021 atoms/cm3高浓度锌源
扩散过程中消除浓度梯度
阻挡锌从表面逸出,保障掺杂效率与浓度均匀性
配套工艺:可搭配NDG-2000硅酸盐覆盖层协同使用
适用场景:LED、光电器件、功率器件等 P 型区制备
五、包装与配套方案
包装规格:240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品:NDG-2000
可添加元素:As、Sb、Bi,支持化合物半导体定制化需求
六、免责与安全提示
文档不提供任何明示或暗示担保;用户需自行验证产品适用性;健康安全信息请查阅MSDS文件。
4. 关键问题
问题:Zn-640HP 的核心功能是什么,可控制的终锌掺杂浓度范围是多少?
答案:核心功能为锌掺杂源 + 扩散阻挡层,可防止锌逸出并消除浓度梯度;终目标锌掺杂浓度为5×101? ~ 5×101? atoms/cm3。
问题:Zn-640HP 的旋涂成膜条件、锌源浓度及关键光学参数分别是什么?
答案:3000rpm旋涂形成1800?厚薄膜;锌源浓度为4×1021 atoms/cm3;折射率为1.5,粘度为0.9cps。
问题:Zn-640HP 在扩散工艺中为何需要搭配覆盖层,可添加哪些改性元素?
答案:高浓度锌靠近表面易外逸,覆盖层可进一步掺杂剂损失;可添加As、Sb、Bi等元素用于化合物半导体定制。

联系方式
  • 企业名称: 深圳市芯泰科光电有限公司
  • 联 系 人: 许明久
  • 电 话: 0755-28190294 15220133370
  • Q Q: 332767299
  • 手 机: 0755-28190294 15220133370
  • 地 址: 深圳市龙华区大浪街道陶元社区中信科创园菊园411
  • 企业网址:http://www.ggsgg.com/coms/xintaike
  • 公司网站:http://www.ggsgg.com/coms/xintaike/
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