AZ  5200E 系列光刻胶
应用于Lift-off工艺图形反转正/负可转换型光刻胶（ Image Reversal Pattern Posi/Nega Convertible Photoresist）
高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化
 Image reversal pattern positive/negative-tone photoresist,optimized for lift-off process
特 征（FEATURES）
1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)
 2) 适用于正/负图形
3) 很宽的膜厚范围
参考工艺条件（SAMPLE PROCESS CONDITIONS）
前烘           ：100℃ 60秒 (DHP)
曝光           ：I线步进式曝光机/接触式曝光机
反转烘烤     ：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒
曝光     ：310~405nm
                   (在曝光光源下照射)
显影           ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle
                 ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping
                 ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping
清洗           ：去离子水30秒
后烘           ：120℃ 120秒 (DHP)
剥离           ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号(PRODUCT RANGE)
Product Name：            AZ5214E AZ5218E AZ5206E AZ5200NJ
Viscosity：                        7mPa       25mPa     40mPa   85mPa

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专供大学研究所耐湿法蚀刻正胶AZ 1500（MEMS麦克风、镍铜等金属蚀刻）
深圳市芯泰科光电有限公司
产品热线许经理 :15220133370 QQ:332767299 0755-28190294
产品开发经验，铝（Al）开槽穿孔膜片和背板电极，在硅片上采用光刻胶AZ1500牺牲层制备了一种新型传声器。通过在铝制膜片上增加一些凹槽来减小残余应力和膜片刚度的影响，从而提高传声器的灵敏度。在膜片上制作声孔，减少了空气阻尼，避免了制作后腔和后板孔的非标准硅加工更复杂和昂贵的缺点。光刻胶牺牲层易于用旋涂机沉积，也易于用丙酮释放。此外，与氧化硅和铝相比，丙酮具有较高的电阻选择性，因此它完全消除了牺牲电阻，而不会对氧化硅和铝造成明显的损伤。测量的零偏置电容为17.5 pF，其拉入电压为25 V。用外置放大器和扬声器对麦克风进行了测试，外置放大器能够检测到扬声器和示波器上麦克风发出的声波。放大器输出语音信号的幅值为45 mV， MEMS麦克风的输出为1.125 μ V。

 

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