NR9-6000PYlift-off负胶
专门用于5–12μm 超厚金属电极的剥离（lift-off）工艺。
NR9-6000PY 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶，专为厚膜金属剥离（lift-off）工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率、快显影、耐高温（100℃）、易去除等特点，室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、厚金属电极、MEMS、传感器、射频 / 光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域，尤其适合 5–12μm 厚膜、高精度、无毛刺厚金属电极的剥离加工场景。
一、核心应用场景
1. 厚膜金属剥离（核心、匹配）
5–12μm 超厚 Ti/Au、Ni/Au、Al、Cu、Pd 电极剥离图形化 许总：15220133370
大功率器件、高压器件、大电流布线厚电极制备
要求无毛刺、无粘连、边缘垂直、无残胶的厚金属结构
2. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H?SiC、GaN 器件厚源漏、厚欧姆接触、厚场板、厚栅电极
高压 / 大功率器件厚金属电极剥离
厚膜、高深宽比、高温兼容（100℃）
3. MEMS、微机械、传感器厚电极加工
微线圈、微加热器、压电结构、惯性传感器厚金属电极
厚布线、厚反射层、厚导电结构
侧壁可控、厚膜均匀、剥离成功率高
4. 射频 / 微波 / 功率器件厚电极
射频传输线、大功率电极、厚金属互联
低损耗、高平整度、边缘干净的厚金属图形
5. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板厚膜剥离
玻璃、陶瓷封装基板、光电器件基底
玻璃基板：烘烤时间 ×3.5
厚膜涂覆均匀、附着稳定
6. 实验室厚膜剥离工艺
科研样品厚金属电极稳定剥离
底切（undercut）可通过曝光量自由调节
室温保存 3 年，无需冷藏，使用方便
二、使用 NR9-6000PY 的情况
做 厚膜金属剥离 lift-off
需要 5–12μm 超厚膜
要求负倾斜侧壁、底切可调
希望厚金属剥离干净、不挂边、无毛刺
工艺温度 100℃
365nm 光刻机通用
显影快、去胶容易
一、产品定位与描述
NR9-6000PY 是适用于365nm波长曝光的厚膜负性光刻胶，兼容步进机、扫描投影光刻机、接近式与接触式光刻机。
核心设计：显影后呈现负倾斜侧壁，专为 金属剥离（lift-off） 工艺优化
配方环保：符合职业与环境安全要求
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
显影体系：碱性水溶液（RD6）
二、核心优势
负倾斜侧壁：完美适配金属剥离，提升剥离质量
底切可调：可通过曝光能量灵活控制 undercut 大小
高分辨率 + 快显影：满足厚膜精细图形加工
耐高温：可承受 100℃ 工艺温度
易去胶：使用 RR4（110℃）或丙酮即可去除
超长保质期：25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：40%–43%
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：190mJ/cm2·μm
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数（150℃软烘 60s 后）
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
1000 40 11020–12180
1200 40 10136–11203
1500 40 8137–8993
2000 40 7011–7749
3000 40 5700–6300
4000 40 4978–5502
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
除边珠：使用EBR2处理晶圆上下边缘
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；6μm 膜厚显影约 50s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4（110℃） 或 丙酮
六、基板适配要求
良导热基板（硅、GaAs）：按标准参数执行
低热导基板（玻璃）：烘烤时间延长 3.5 倍
七、安全注意事项
本品为易燃液体，远离热源、火花、明火
操作环境需充分通风
禁止吞食，避免接触皮肤、蒸气、雾滴
佩戴化学护目镜、橡胶手套及防护衣
4. 关键问题与答案
NR9-6000PY 核心的设计用途与结构特点是什么？
答：核心用途是厚膜金属剥离（lift-off）；结构特点是显影后形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量调节，让厚金属剥离更干净无毛刺。
NR9-6000PY 的膜厚范围、典型显影时间与去胶方式分别是什么？
答：膜厚范围为4978–12180nm（4.9–12.2μm）；6μm 膜厚的显影时间约50s；去胶可使用RR4 去胶剂（110℃）或丙酮。
NR9-6000PY 在玻璃基板上使用时为何要调整工艺？如何调整？
答：玻璃是低热导基板，固化速度慢；需将软烘与曝光后烘烤的时间延长 3.5 倍，保证胶层充分固化，避免图形失真或脱落。
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