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河南省南阳市西峡县QD OLED材料答辨用2026年友情推荐
河南省南阳市西峡县QD OLED材料答辨用2026年友情推荐
  • 供应产品:河南省南阳市西峡县QD OLED材料答辨用2026年友情推荐
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  • 发布日期:2026/7/4 12:05:26
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供应信息

NR9i-3000PY lift-off负胶
是低能量曝光、366nm 专用、2–6μm 金属剥离的型号。
NR9i-3000PY 是适用于 宽谱 366nm (i-line) 紫外曝光的中薄层负性光刻胶,专为金属剥离(lift-off)工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备超高感光度、高分辨率、快显影、耐高温(100℃)、室温去胶等特点。该光刻胶在弱光与低能量曝光环境下仍能稳定成像,广泛应用于 SiC/GaN/InP 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域,尤其适合 366nm 专用设备、低曝光能量、中薄层高精度金属剥离的光刻场景。

一、核心应用场景
1. 中薄层金属剥离(lift-off)(匹配)
Ti/Au、Ni/Au、Al、Pd、Pt 等 2–6μm 中厚金属电极剥离            许总:15220133370
微细栅极、源漏电极、探针电极、互连线图形化
要求无毛刺、无粘连、边缘垂直、无残胶的高精度电极
2. 宽谱 366nm (i-line) 专用曝光设备
实验室 / 产线 i-line 366nm 宽带曝光机
老款接近式、接触式、投影式光刻机
只能用 366nm 单一波段 的设备环境
3. 超低曝光能量 / 弱光环境
曝光光强弱、能量不足的设备
追求超高产能、极短曝光时间的工艺
感光度需求极低:7mJ/cm2·μm 即可完成曝光
4. SiC / GaN / InP 半导体器件
4H-SiC、GaN、InP 基器件 欧姆接触、栅电极、源漏电极
毫米波 / 射频器件、HEMT、MESFET 微细电极剥离
耐高温 100℃,兼容后续工艺
5. MEMS、传感器、光电器件
微型传感器、压电 / 声学器件、微机械结构金属电极
微悬臂梁、微桥、光波导、反射镜电极加工
均匀性好、图形精度高、去胶温和无损伤
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板剥离
玻璃、陶瓷、蓝宝石等低热导基底
使用时需校准表面温度,保证图形稳定
厚膜均匀、附着好、剥离成功率高
7. 科研实验室高精度工艺
无需冷藏,室温可存放 1 年
显影快、去胶简单(室温 RR5)
底切可调,工艺窗口宽、重复性高
二、使用 NR9i-3000PY 的情况
做 2–6μm 中薄层金属剥离 lift-off
设备是 366nm (i-line) 宽谱专用
曝光光强弱、能量低
需要超高感光度、超快曝光
希望室温去胶、不伤基底
工艺温度 100℃
底切(undercut)需要灵活可调

一、产品定位与设计特点
NR9i-3000PY 是面向宽谱 366nm (i-line)曝光设备的负性光刻胶,专为 金属剥离(lift-off) 工艺优化。
显影后形成负倾斜侧壁,大幅提升金属剥离质量
配方符合职业安全与环保要求
主溶剂:环己酮
显影体系:碱性水溶液(RD6)
二、核心性能优势
感光度极高且可定制:感光度7mJ/cm2·μm,可优化曝光产能
分辨率优异,支持精细图形加工
显影速度快,制程效率高
底切程度可调:通过曝光能量灵活控制 undercut
耐高温:可承受 100℃ 工艺温度
去胶便捷:RR5 去胶剂室温即可去除
涂覆均匀无条纹,工艺一致性好
三、关键理化参数
表格
参数项 数值 / 条件
固含量 31%–35%
外观 浅黄色液体
感光度(366nm 宽谱) 7mJ/cm2·μm
保质期 23℃室温存储 1 年
耐温 100℃
四、膜厚与旋涂参数(100℃/300s 烘烤后)
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 膜厚范围 (nm)
800 40 5700–6300
3000 40 2850–3150
4000 40 2460–2720
5000 40 2140–2326
五、标准工艺流程
旋涂涂胶:3000rpm 旋涂40s,加速 < 1s;6 寸片用量7mL
软烘:110℃热板烘烤 90s
冷却至室温
曝光:<440nm 宽谱 i-line (366nm)
曝光后烘:110℃热板烘烤 90s
冷却至室温
显影:RD6,20–25℃;浸置搅拌16s / puddle35s
去离子水冲洗 + 干燥
去胶:RR5 去胶剂室温去除
六、基板适配要求
良导热基板(Si、GaAs、InP):按标准工艺执行
低热导基板(玻璃等):必须校准基板表面温度,确保烘烤达到设定值
七、安全注意事项
本品为易燃液体,远离热源、火花、明火
操作需通风,佩戴护目镜、手套与防护服
禁止吞食,避免接触皮肤与黏膜
4. 关键问题与答案
NR9i-3000PY 核心的定位与优势是什么?
答:核心定位是宽谱 366nm (i-line) 专用、中薄层金属剥离光刻胶;突出优势是超高感光度 7mJ/cm2?μm且感光度可定制,同时具备负倾斜侧壁 + 底切可调,剥离效果。
NR9i-3000PY 的显影方式与对应时间是什么?玻璃基板为何要特殊处理?
答:提供两种显影方式 ——浸置搅拌 16s、puddle 静置 35s。玻璃等低热导基板导热差,必须校准表面温度,否则烘烤不足会导致图形失真、脱落。
NR9i-3000PY 与同系列剥离胶(如 NR9G-3000PY)的主要差异在哪里?
答:差异主要有三点:①曝光波段:NR9i-3000PY 是宽谱 366nm (i-line) 专用;②感光度:NR9i-3000PY 更高(7mJ/cm2·μm);③基板适配:NR9i-3000PY 明确支持InP,并强调表面温度校准。


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联系方式
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