NR7-6000P干法刻蚀负胶
它5–12μm 中厚膜、高温工艺、干法刻蚀、高精度垂直侧壁的场景。
NR7-6000P 是适用于 365nm 紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现 4.9–12.2μm 膜厚图形化，显影后具有优异的垂直侧壁轮廓，同时具备高分辨率、高感光度、耐高温（180℃）、抗 RIE 干法刻蚀、易去除等特点，且在室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、传感器、光电器件、玻璃 / 陶瓷基底加工 等领域，尤其适合需要高精度垂直侧壁、高温工艺与中厚膜干法刻蚀的光刻场景。

一、核心应用场景
1. SiC / GaN 第三代半导体功率器件
4H?SiC 台面、JTE、场限环、RESURF、浅深槽结构
SiC 欧姆接触、注入掩模、栅区、场板光刻                                许总：15220133370

GaN 器件栅电极、场板、保护层、互连线图形
适配 180℃ 高温退火、沉积、热处理 工艺
2. 中厚膜 RIE 干法刻蚀掩模
硅、SiC、GaN、玻璃、陶瓷中深度刻蚀
要求高垂直侧壁、高深宽比、无变形的微结构
抗等离子体强，不翘边、不腐蚀、不底切
3. MEMS、传感器、光电器件
压电 MEMS、声学器件、惯性传感器
微悬臂梁、微桥、微腔、光波导、反射镜结构
膜厚适中、均匀性好、侧壁垂直、可去胶
4. 中等厚度金属剥离 / 电镀掩模
中等厚度金属（Ti/Au、Ni/Au、Cu、Al）剥离
功率器件电极、探针电极、大电流互连线
附着力强、显影干净、适合高精度图形
5. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻
玻璃、陶瓷基底中厚膜图形加工
光电器件、传感器、封装基板
玻璃基板：烘烤时间 ×3.5
6. 高温稳定保护层 / 阻挡层
沉积、清洗、退火前的高温保护掩模
180℃ 不流胶、不变形、不脱落
二、使用 NR7-6000P 的情况
需要 5–12μm 中厚膜
要求显影后侧壁垂直（straight sidewall）
工艺温度 180℃
必须经过 RIE 干法刻蚀
希望室温存放、保质期 3 年
只有 365nm 光刻机
终要易去胶、无残胶

一、产品定位与描述
NR7-6000P 是面向中厚膜图形化的负性光刻胶，专为365nm紫外曝光系统设计，兼容步进机、投影光刻机、接近 / 接触式曝光机。显影后可形成垂直侧壁轮廓，配方与工艺兼顾职业安全与环保，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。
二、核心优势
分辨率优异，满足中厚膜高精度图形加工
感光与显影速度快，提升制程效率
显影后侧壁垂直，图形精度高
耐高温性强，可承受 180℃ 高温
抗 RIE 干法刻蚀性能优异
去胶便捷，可用 RR4 或丙酮去除
超长保质期，25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：40%–43%
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 150℃软烘 60s 后膜厚 (nm)
1000 40 11020–12180
1200 40 10136–11203
1500 40 8137–8993
2000 40 7011–7749
3000 40 5700–6300
4000 40 4978–5502
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：目标转速旋涂40s
软烘：150℃热板烘烤 60s
365nm 紫外曝光
曝光后烘烤：100℃热板烘烤 60s
显影：RD6 显影液喷淋 / 浸泡；6μm 膜厚显影约 50s
冲洗：去离子水冲洗至电阻率达标
干燥
去胶：RR4 去胶剂或丙酮

相关文章 山西省忻州市保德县HBM工艺材料咨询2026年专业推荐 http://www.ggsgg.com/supply/88/23951.shtml