NR5-8000干法刻蚀专用厚胶
它是高温半导体工艺 + 高深宽比干法刻蚀的专用厚胶。
NR5-8000 是适用于 365nm 紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现 5.75–95μm 厚胶图形化，具备高分辨率、高感光度、优异的耐高温性（180℃）与抗 RIE 干法刻蚀性能，同时易于去除且室温下保质期长达 3 年。该光刻胶广泛应用于 SiC/GaN 功率器件、MEMS、TSV/TGV、玻璃 / 陶瓷基板 等领域，尤其适合高温半导体工艺与高深宽比干法刻蚀的厚胶光刻。

核心、匹配的应用场景
1. 第三代半导体：SiC / GaN 功率器件（）    许总：15220133370
4H?SiC 台面、JTE、深槽、边缘终端结构光刻
SiC 高温退火 / 沉积 / 注入工艺的高温掩模
GaN 功率器件场板、栅结构、厚电极图形化
1200V–10kV 高压器件厚胶工艺
2. RIE 干法刻蚀掩模（强优势）
硅、SiC、玻璃、陶瓷、氮化铝高深宽比刻蚀
TSV、TGV、深槽、微腔、悬臂梁厚胶掩模
耐等离子体强、不卷曲、不腐蚀、侧壁垂直
3. 高温兼容半导体工艺
工艺温度达 180℃ 的高温掩模
金属沉积、介质沉积、退火、清洗前保护
高温下不流胶、不脱膜、不变形
4. MEMS 微结构加工
压电 MEMS、声学器件、惯性器件
高深宽比微桥、微悬臂、微腔
需耐高温 + 抗刻蚀 + 可去胶的结构
5. 微纳电镀厚掩模
厚铜、厚金、厚镍电镀掩模
功率器件大电流电极、微线圈、RDL 重布线
附着力强，不浮胶、不翘边
6. 玻璃 / 陶瓷 / 低热导基板光刻
玻璃通孔 TGV、陶瓷基板厚电极
光电器件、传感器、封装基板
玻璃基板工艺：烘烤时间 ×3.5

什么时候必须选 NR5-8000
需要 5.75–95μm 厚膜一次旋涂
工艺温度 ＞100℃、到 180℃
必须走 RIE 干法刻蚀
希望室温存放、保质期 3 年
设备只有 365nm i-line 光刻机
终要易去胶、无残胶

一、产品概述
NR5-8000 是面向厚膜光刻的负性光刻胶，支持365nm紫外曝光，兼容步进机、投影光刻机、接近式 / 接触式曝光机；配方与工艺兼顾职业安全与环保，主溶剂为环己酮，显影采用碱性水溶液。
二、核心优势
分辨率优异，满足厚膜高精度图形化
感光度高（21mJ/cm2?μm），曝光效率高
显影速度快，提升制程效率
耐高温，可承受 180℃ 高温环境
抗 RIE 刻蚀性能优异，适配干法刻蚀
去胶便捷，可用RR4或丙酮去除
超长保质期，25℃室温可存放 3 年
三、关键理化参数
外观：浅黄色液体
固含量：39%–43%
主溶剂：环己酮（cyclohexanone）
涂覆性：非常均匀、无条纹
感光度（365nm）：21mJ/cm2（1μm 厚膜）
保质期：25℃室温存储 3 年
四、膜厚与旋涂 / 烘烤参数
表格
旋涂转速 (rpm) 旋涂时间 (s) 软烘 1（80℃烘箱） 软烘 2（150℃热板） 曝光后烘烤（100℃热板） 膜厚 (nm)
250 30 15min 180s 240s 90000–95000
400 30 15min 120s 120s 54000–60000
1000 40 0 60s 60s 12500–14500
2000 40 0 60s 60s 9000–12000
3000 40 0 60s 60s 7500–8500
4000 40 0 60s 60s 6250–6750
5000 40 0 60s 60s 5750–6250
五、标准工艺流程
旋涂涂胶：按目标膜厚选择转速
软烘：厚膜用烘箱 80℃+ 热板 150℃，薄膜仅热板
365nm 紫外曝光：曝光剂量 = 膜厚 (μm)×21mJ/cm2
曝光后烘烤：100℃ 热板
显影：RD6 显影液，20–25℃；8μm 膜显影40s，100μm...

 

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