罗门哈斯i-line正胶MCPRis124MG
MCPRis124MG 是罗门哈斯 i-line 厚膜通用型光刻胶，覆盖 2–9μm 膜厚与 1–50μm 大尺寸图形，兼容干刻 / 湿刻 / 离子注入，广泛用于中关键层、BEOL、MEMS、功率器件与高反射基底光刻。

核心应用场景
1、i-line 中厚膜 / 厚膜图形化（核心）    许总：15220133370
单次旋涂 2–9μm 稳定成膜
加工 1μm–50μm 大尺寸线条、沟槽、通孔
高深宽比、轮廓陡峭，适合厚胶结构
2、中关键层 / BEOL 后段制程
金属布线、介质开槽、接触孔、Pad 开孔
中关键尺寸（Mid-Critical）图形加工
产线统一整合型胶，减少换胶成本
3、高深宽比干法刻蚀 / 湿法腐蚀掩膜
硅深刻蚀、Bosch 工艺、湿法腐蚀掩膜
耐蚀刻性好、附着力强、不脱落、不钻蚀
适配干刻 / 湿刻双重工艺
4、离子注入光刻掩膜
源漏注入、阱区注入、轻掺杂注入
厚胶遮挡能力强，耐热性好
无变形、无流胶，注入精度高
5、高反射基底光刻
多晶硅、SiN、金属、Al/Cu 等高反射表面
驻波好，CD 均匀稳定
兼容各类无机 / 有机 BARC
6、MEMS、传感器、微机械结构
微沟槽、悬臂、电极、引线、腔体结构
厚胶、大尺寸、高深宽比专用
高附着力、高可靠、不开裂
7、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
终端结构、场环、深沟槽、大尺寸图形
耐热、耐蚀刻、良率高
适合量产型功率半导体
8、封装、凸点、厚胶互连结构
晶圆级封装厚胶掩膜、金属凸点图形
厚膜图形精度高、一致性好

一、产品概述
MCPRis124MG 是罗门哈斯研发的i-line 厚膜 / 中关键层正性光刻胶，面向中后段（BEOL）与中关键尺寸制程，覆盖1–50μm图形，支持2–9μm膜厚，可作为整合型光刻胶替代多款材料，兼容多类基底与刻蚀 / 注入工艺。
二、核心特性
高产能厚膜胶：适配中厚膜规模化生产
高分辨率：密集线600nm
优异图形轮廓：高深宽比、侧壁陡峭
强附着力：适配各类反射 / 介质基底
高热稳定性：满足高温后处理
无 PFOS：环保合规
多稀释度：覆盖2–9μm膜厚需求
三、光刻性能
表格
性能项 指标
分辨率 600nm（3μm 膜厚，1μm 1:1 密集线）
曝光能量 80mJ/cm2（3μm 膜厚）；400mJ/cm2（7μm 膜厚）
焦深 >1.8μm（2μm 密集线）
曝光宽容度 >28%（2μm 密集线）
四、标准工艺条件
表格
工艺项 中厚膜（1000–3000nm） 厚膜（>4000nm）
软烘 90℃/90s 100℃/90s
PEB 110℃/90s 110–120℃/90s
显影 MF-26A，23℃，60s 单喷 MF-26A，23℃，40–60s 双喷
五、光学参数
表格
Cauchy 系数 数值
n1 1.629
n2 3.569e+05
n3 1.783e+13
六、兼容范围
基底：硅、SiO?、多晶硅、Si?N?、金属等高反射表面
工艺：干法刻蚀、湿法刻蚀、离子注入
去胶：湿法去胶液 / 等离子灰化
存储：4–15℃，保质期6 个月
4. 关键问题
问题：MCPRis124MG 的适用膜厚、图形尺寸范围与分辨率分别是多少？
答案：适用膜厚2–9μm；图形尺寸1–50μm；分辨率600nm（3μm 膜厚条件）。
问题：该光刻胶在中厚膜与厚膜条件下，软烘和 PEB 温度有何差异？
答案：中厚膜软烘90℃、PEB110℃；厚膜软烘100℃、PEB110–120℃。
问题：MCPRis124MG 的核心定位与兼容工艺是什么，为何适合作为整合型胶？
答案：定位是i-line 厚膜 / 中关键层通用整合光刻胶；兼容干法刻蚀、湿法刻蚀、离子注入；可覆盖多类场景与膜厚，减少产线胶种数量，提升效率。