Gersteltec化学增幅型环氧负胶PCPI 1075
PCPI 1075 是 100–400μm 极厚型负性光环氧胶，低应力、高深宽比、不易开裂，专用于超厚 MEMS、深微流控、厚层电镀模具与大功率传感器制造。

核心应用场景
1、100–400μm 超厚 MEMS 结构（核心）  许总：15220133370
微马达、齿轮、悬臂梁、质量块、微铰链
一次涂胶实现 400μm 超厚结构
高深宽比、侧壁垂直、机械强度极高
极低内应力，不易开裂、不翘曲
2、超深微流控芯片
深度 100–400μm 微通道、反应腔、过滤器
大流量、高通量微流控专用
生物兼容、耐酸碱、耐高温
3、厚层电镀 / 电铸模具
镍 / 铜 / 金 厚层电镀模具
深度可达 400μm 的高深宽比模具
图形精度高、脱模性好
4、热压印 / 纳米压印厚模板
塑料热压印、微结构复制
超厚模板一次成型，无需叠层
硬度高、耐磨、寿命长
5、大功率 / 工业级传感器
压力传感器、惯性传感器、振动传感器
超厚结构抗震、耐压、稳定性更强
适合恶劣工业环境
6、微线圈、电磁器件、执行器
3D 电磁结构、厚线圈骨架、绝缘支撑
高绝缘性、高精度、耐高温
7、喷墨打印嘴、微喷嘴阵列
大深度、高精度喷嘴孔
侧壁光滑、无锥度、流量一致性好
8、科研 / 高校极厚结构微加工
业内稳定的 100–400μm 厚胶体系
工艺成熟、文献多、良率高
从 100μm 到 400μm 全覆盖

一、产品基础信息
型号：PCPI 1075
类型：环氧基化学增幅负性光环氧胶
适用膜厚：＞100μm，可达 400μm
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i 宽波段）
显影 / 漂洗：PGMEA显影 + 异丙醇 (IPA) 漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、完整工艺流程
基底处理
130℃烘烤 ≥20 分钟 除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
转速：200–5000rpm，主转速保持100s
加减速：100rpm/s，末段短时间提升 400rpm
松弛：30 分钟–整晚（厚膜延长）
软烘（SB）
升温速率：4℃/min
目标温度：120℃，保持 5 分钟–4 小时
自然冷却至室温
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：200–1000mJ/cm2（随厚度增加）
曝光后延迟：≥1 小时
曝光后烘烤（PEB）
升温速率：4℃/min
目标温度：95℃，降低内应力
显影与漂洗
PGMEA 浸泡显影，通透后延长 10% 时间
IPA 漂洗至无白色痕迹
自然风干
去除：专用 Gersteltec 剥离液
三、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间
100μm 1200rpm 200mJ/cm2 3min
150μm 950rpm 350mJ/cm2 5min
200μm 650rpm 500mJ/cm2 7min
300μm 600rpm 700mJ/cm2 9min
350μm 500rpm 850mJ/cm2 11min
400μm 500rpm 1000mJ/cm2 15min
四、核心性能特点
极厚膜能力：稳定覆盖100–400μm超厚结构
低内应力：PEB 采用 95℃ 低温，大幅降低开裂风险
高深宽比：侧壁接近 90° 垂直，结构强度优异
工艺稳定：梯度升温 + 长时间松弛，保证厚膜均匀性
五、主要应用
超厚膜 MEMS 微机械结构
高深宽比微流控芯片
厚层电镀 / 电铸模具
热压印印章与模板
大功率传感器、微线圈、执行器
4. 关键问题
问题：PCPI 1075 的核心定位与适用膜厚范围是什么？
答案：核心定位是 ＞100μm 极厚膜专用负性光环氧胶 ，稳定加工厚度范围为100μm–400μm。
问题：该胶软烘与 PEB 的温度设置有何差异，这样设计的目的是什么？
答案：软烘温度为120℃（充分除溶剂），PEB 温度为95℃（低温降低内应力）；通过低温 PEB减少厚膜开裂与翘曲，提升结构良率。
问题：400μm 厚膜对应的曝光剂量与显影时间是多少，显影的关键注意点是什么？
答案：400μm 厚膜曝光剂量1000mJ/cm2，显影时间15 分钟；显影需在结构通透后延长 10% 时间，严禁过显，防止厚膜脱落。