低应用SU-8 纳米复合体系环氧负胶GLM 2060
GLM2060 是纳米复合低应力 SU-8 负性光环氧，6–50μm 中厚膜专用，抗开裂、高深宽比，广泛用于 MEMS、微流控、传感器、电镀模具与中等厚度微结构制造。

核心应用场景     
1、6–50μm 中厚膜 MEMS 结构（核心）            许总：15220133370
悬臂梁、微桥、振动质量块、微齿轮、可动结构
纳米低应力配方，几乎不开裂
2、高深宽比、侧壁垂直、机械强度高
高深宽比微流控芯片
6–50μm 深度微通道、反应腔、过滤器、混合器
通道光滑、无锥度、封接性能好
耐酸碱、生物兼容、适合长期使用
3、需要高稳定性的厚胶结构
传统 SU-8 容易开裂的场景
大尺寸结构、大面积图形
对应力、翘曲、开裂敏感的器件
4、微电铸 / 电镀模具
镍、铜、金 中等厚度电镀模具
6–50μm 深度模具一次成型
图形精度高、脱模干净a
5、热压印 / 微注塑模具
塑料微结构复制、微注塑模仁
硬度高、耐磨、寿命长
6–50μm 厚度常用
6、传感器结构与保护层
压力传感器、惯性传感器、流量传感器
结构层、支撑层、防护层一体成型
低应力 → 高稳定性、高精度
7、喷墨喷嘴、微孔洞阵列
高精度喷嘴孔、限流孔、筛网结构
圆形度好、边缘锐利、一致性高
8、高校 / 科研微加工通用厚胶
稳定的6–50μm 低应力 SU-8
工艺成熟、良率高、容错性好
文献多、易复现

一、产品基础信息
型号：GLM 2060
类型：纳米复合 SU-8 负性光环氧胶
适用膜厚：6.0–50μm（可达 130μm，稳定区间≤50μm）
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line 宽波段）
核心优势：纳米掺杂→低内应力→显著抗开裂
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、完整工艺流程
基底处理
130℃烘烤 ≥20 分钟 除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
转速：200–5000rpm，保持40s
加 / 减速：100rpm/s
松弛：30 分钟–1 小时（随厚度增加）
两步软烘（SB）
室温→65℃（2℃/min），保持5–10min
65℃→95℃（2℃/min），保持5min–3h
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：100–700mJ/cm2
曝光后延迟：≥10 分钟
两步 PEB
同软烘温度曲线，95℃保持10–30min
显影与漂洗
PGMEA显影，通透后延长 10% 时间
IPA漂洗至无白色痕迹
可选硬烘：135℃/2 小时（修复微裂纹）
三、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间
6μm 5000rpm 275mJ/cm2 1min
10μm 3000rpm 300mJ/cm2 1min30s
15μm 2000rpm 340mJ/cm2 2min
20μm 1450rpm 355mJ/cm2 2min30s
25μm 1150rpm 375mJ/cm2 3min
50μm 600rpm 440mJ/cm2 4min
四、核心性能特点
低应力抗裂：纳米复合配方，大幅降低厚膜开裂风险
高深宽比：侧壁接近 90° 垂直，结构强度优异
工艺稳定：梯度升温 + 松弛步骤，保证均匀性
兼容性强：适配硅片、有机 / 无机抗反射层
五、主要应用
MEMS 微机械结构（悬臂梁、齿轮、执行器）
高深宽比微流控芯片、传感器
电镀模具、热压印印章
喷墨打印喷嘴、LCD 隔垫物
4. 关键问题
问题：GLM 2060 的核心优势是什么，如何实现该特性？
答案：核心优势是低内应力、不易开裂；通过纳米复合材料掺杂改性，降低 SU-8 体系应力，显著提升厚膜结构良率。
问题：该胶稳定适用的膜厚范围是多少，50μm 厚膜对应的曝光剂量与显影时间是多少？
答案：稳定适用6–50μm；50μm 厚膜曝光剂量440mJ/cm2，显影时间4 分钟。
问题：GLM 2060 的软烘与 PEB 为何采用两步温度曲线，核心温度点是多少？
答案：采用65℃→95℃两步梯度升温（速率 2℃/min），目的是平缓除溶剂、降低内应力、避免厚膜裂纹，保证交联均匀与结构完整。