宽波段正胶MICROPOSIT S1800 G Series
S1800 G Series 是全球经典 G-line 高精度光刻胶，分辨率 0.48μm，染料版适配高反射基底，环保低毒、工艺稳定，广泛用于成熟制程、MEMS、功率器件与科研教学。

核心应用场景
1、G-line / 宽波段 量产光刻（核心）           许总：15220133370
专为 436nm G-line 曝光机设计
老式 / 经典 stepper 平台通用胶
成熟制程 0.5μm / 0.6μm / 0.7μm 主力光刻
2、0.48μm 高精度关键层光刻
逻辑 / 存储芯片前道：栅极、多晶硅、有源区
线条直、对比度高、CD 控制好
分辨率可达 0.48μm，业界经典高精度 G-line 胶
3、高反射基底光刻（染料版强）
多晶硅、SiN、TiN、铝、铜等高反射表面
染料版（D1/J2）驻波 & 缺口（notching）
线宽稳定、均匀性高
4、前后道 FEOL/BEOL 全覆盖
前道：浅沟槽、源漏、离子注入掩膜
后道：金属布线、接触孔、通孔、介质开槽
一支胶搞定整段流程
5、MEMS、传感器、微机械结构
微沟槽、悬臂、电极、引线、腔体
台阶覆盖好、附着力强、轮廓垂直
厚膜 / 中厚膜都能稳定涂敷
6、功率器件 / 分立器件 / 高压器件
MOSFET、IGBT、二极管、整流器
大尺寸图形、终端结构、场环
耐热好、耐蚀刻、良率高
7、高校、研究所、中试线通用光刻
经典、稳定、容易做成功
涂敷均匀、不条纹、显影干净
几乎适配所有 G-line 设备
8、标准 IC 成熟制程量产
0.5μm～2.0μm 全范围覆盖
搭配 MF-319/MF-321 显影液
良率高、批间一致性极强

一、产品概述
S1800 G Series 是Shipley开发的G-line / 宽波段正性光刻胶，面向先进 IC 制造，使用低毒 PGMEA 溶剂，不含乙二醇醚与二甲苯，提供无染料与染料（D/J）版本，覆盖多种粘度与膜厚。
二、核心特性
环保低毒：采用 PGMEA 溶剂，无生殖毒性
成膜优异：无条纹、高均匀、高附着力
反射：染料版有效降低驻波、控制 CD
高对比度：对比度值2.3，侧壁陡直
易剥离：标准剥离液即可无残留去除
高精度：支持0.48μm图形加工
三、标准工艺条件
表格
工艺步骤 参数
基底预处理 HMDS 气相增粘
软烘 115℃ / 60s 热板
曝光 G-line(436nm)，0.54NA
显影液 MF-319 / MF-321
显影方式 双喷 Puddle (DSP)
四、光刻关键性能
表格
性能指标 数值
分辨率 0.48μm
掩模线性 ity (±10%) 0.50μm
曝光宽容度 45%
焦深 2.25μm
对比度 2.3
五、型号与膜厚
通用型号：S1805 / S1811 / S1813 / S1818 / S1822
染料型号：S1813D1 / S1813J2 等
成膜范围：5000?–35000?
六、材料兼容
显影液：MF-319、MF-321（无金属离子兼容）
设备材质：不锈钢、玻璃、PP、HDPE、PTFE
存储：10–21℃，避光密封
4. 关键问题
问题：S1800 G Series 相比传统光刻胶的核心安全优势是什么？
答案：采用低毒 PGMEA 溶剂，不含乙二醇醚与二甲苯，无生殖毒性与血液毒性，更安全环保。
问题：染料版（D/J）S1800 光刻胶的作用是什么，适合什么场景？
答案：染料版可驻波效应与反射缺口，稳定线宽；适合多晶硅、金属等高反射基底光刻。
问题：S1813 的分辨率、曝光宽容度与焦深分别是多少，体现了什么能力？
答案：分辨率0.48μm、曝光宽容度45%、焦深2.25μm；体现高精度、宽工艺窗口、强聚焦容错，适合量产。