DUV正胶UV?210
UV210 是 130–180nm DUV 全能型光刻胶，支持栅极、接触孔、沟槽三合一工艺，PEB 超稳定、焦深大、分辨率高，广泛用于先进逻辑 / 存储芯片、相移掩模及 MEMS 器件制造。

核心应用场景
1、130nm–180nm DUV 先进制程量产（核心）
专为 130nm / 150nm / 180nm 节点逻辑 / 存储芯片设计      许总：15220133370
一支胶搞定 栅极 + 接触孔 + 沟槽 所有关键层
工艺窗口极宽、良率极高
2、栅极（Gate）高精度光刻
晶体管栅极、多晶硅线、字线 / 位线
分辨率 130nm、焦深 1.0μm
轮廓垂直、CD 控制超稳定
3、相移掩模（APSM）接触孔光刻
150–180nm 高密度接触孔、通孔阵列
支持 6% 衰减相移掩模 超高精度工艺
孔型圆、不桥连、均匀性好
4、160–180nm 深沟槽 / STI 隔离光刻
浅沟槽隔离、器件隔离结构
深色场（Dark Field）沟槽专用
厚膜 / 台阶差也能完美对焦
5、高稳定性自动化量产线
PEB 敏感度 <4nm/℃，几乎不受温度波动影响
曝光后延迟稳定 1 小时，产线节拍友好
批间一致性极强
6、逻辑 / DRAM/Flash/MCU 核心层光刻
130–180nm 主流芯片标准胶
前道 FEOL 关键层通用
耐高温 150℃，适配后续注入 / 退火
7、MEMS、传感器、光电器件
高精度微结构、沟槽、电极图形
DUV 精度 + 大焦深，适合复杂形貌
科研与量产都稳定

一、产品概述
UV210 是罗门哈斯研发的DUV 深紫外多功能正性光刻胶，面向130–180nm 设计节点，可同时满足栅极、相移掩模接触孔、沟槽三类核心应用，兼顾高分辨率与宽工艺窗口。
二、核心特性
多场景合一：栅极 / 相移掩模接触孔 / 沟槽通用
超高 PEB 稳定性：<4nm/℃，CD 受温度影响极小
PED 稳定性：≥1 小时，适配自动化产线
热稳定性：150℃ 不形变
保质期：9 个月
三、光刻关键性能
表格
图形类型 能量 分辨率 焦深
130nm 线 / 间距 (1:1.5) 28 mJ/cm2 130nm 1.00μm
180nm 沟槽 (1:1) 33 mJ/cm2 160nm 0.80μm
180nm 接触孔 (1:1) 60 mJ/cm2 150nm 0.70μm
四、标准工艺条件
表格
工艺项 接触孔 线 / 间距
膜厚 3000–8000? 3000–8000?
软烘 140℃/60s 130℃/60s
PEB 140℃/90s 130℃/90s
显影 MF CD-26/21℃/45s MF CD-26/21℃/45s
五、光学参数
Cauchy n1：1.532
248nm 折射率：1.79
Dill A：0.0564 μm?1；Dill B：0.5251 μm?1
六、兼容与配套
基底：硅、有机 / 无机抗反射层
增粘：HMDS 120℃/30s 真空气相
去胶：MICROPOSIT Remover 1165，80℃双槽
4. 关键问题
问题：UV210 的核心定位与可覆盖的关键应用有哪些？
答案：UV210 是130–180nm DUV 多功能光刻胶，可同时用于栅极、相移掩模接触孔、沟槽三大关键工艺。
问题：UV210 在 130nm 线宽条件下的焦深与 PEB 敏感度分别是多少？
答案：130nm 线 / 间距焦深1.00μm；PEB 敏感度 <4nm/℃，工艺稳定性极强。
问题：UV210 的标准显影液与去胶方案是什么？
答案：推荐显影液MF CD-26（45s）；去胶使用 Remover 1165 双槽 80℃ 工艺。