罗门哈斯耐高温DUV正胶UV?1100
UV1100 是高温型 DUV 光刻胶，主打金属沟槽与硬掩模工艺，耐刻蚀、低间距偏置、SB/PEB 敏感度低，广泛用于 140–180nm 金属层、沟槽结构与硬掩模光刻。

核心应用场景
1、金属沟槽（Metal Trench）光刻（核心）  许总：15220133370
铜 / 铝金属沟槽、 Damascus 工艺
高深宽比、高密度金属布线
耐高温、耐刻蚀、轮廓垂直
2、硬掩模（Hard Mask）工艺
搭配有机抗反射层（AR3）做硬掩模图形
后续刻蚀转移精度要求高
胶本身耐刻蚀性优异
3、140nm–180nm 沟槽 / 线条高精度光刻
140nm 密集沟槽
160nm 孤立沟槽 / 孤立线条
低间距偏置，Iso / Dense CD 均匀
4、高温耐受的后段工艺
工艺温度偏高、需要高温硬烤
胶不流淌、不变形、不塌陷
适合对热预算要求高的制程
5、逻辑 / 存储器件中层 / 后段布线
金属层、介质层、沟槽隔离
宽工艺窗口，量产良率高
批间一致性好
6、MEMS、光电子、微结构沟槽
高深宽比沟槽结构
轮廓垂直、粗糙度低
DUV 精度稳定可靠

一、产品概述
UV?1100 是ROHM AND HAAS研发的高温型 DUV 深紫外正性光刻胶，聚焦金属与沟槽类图形加工，适配有机抗反射层硬掩模流程，兼顾高分辨率与工艺稳定性。
二、核心优势
低间距偏置：不同间距图形 CD 差异小
优异耐刻蚀性：满足等离子刻蚀工艺要求
低工艺敏感度：对SB/PEB 温度变化不敏感
宽工艺窗口：聚焦与曝光容错空间大
高分辨率：可实现140nm精细图形
三、标准工艺条件
表格
工艺项 参数
抗反射层 AR3（600?），205℃/60s
光刻胶膜厚 3550?
软烘（SB） 130℃/60s
曝光后烘烤（PEB） 115℃/60s
显影液 MF CD-26（0.26N）
显影方式 45s Single Puddle
四、光刻分辨率
140nm 1:1 密集沟槽
160nm 孤立沟槽
160nm 孤立线条
五、光学与材料参数
表格
参数 数值
Cauchy n1 1.548
248nm 折射率 (n) 1.778
248nm 消光系数 (k) 0.013
适配型号 UV1100-0.25/0.265/0.38
六、基底与兼容
适配基底：硅、有机 / 无机抗反射层
增粘处理：HMDS 气相底涂
存储：密封、常温、远离火源
4. 关键问题
问题：UV1100 的核心定位与适配的应用场景是什么？
答案：核心定位是高温型 DUV 正性光刻胶，适配金属沟槽加工与有机抗反射层硬掩模工艺。
问题：UV1100 能实现的分辨率图形是什么，标准膜厚是多少？
答案：分辨率为140nm 1:1 密集沟槽；标准工艺膜厚为3550?。
问题：UV1100 的 PEB 温度、推荐显影液及核心优势分别是什么？
答案：PEB 温度为115℃/60s；显影液为MF CD-26；核心优势是低间距偏置、优异耐刻蚀性、SB/PEB 低敏感度、宽工艺窗口。