罗门哈斯DUV正胶UV26
UV26 是 DUV 厚膜专用光刻胶，主打深离子注入与沟槽工艺，覆盖 1.1–3.0μm 膜厚，焦深大、稳定性强，广泛用于功率器件、高压器件、MEMS 及 180–350nm 厚膜光刻。

核心应用场景
1、深离子注入（Deep Implant）掩膜（核心）     许总：15220133370
大功率器件、高压器件、MOSFET 注入区光刻
厚膜、高能量注入、高景深要求
UV26 专为注入工艺设计，是行业标准选择
2、1.1μm～3.0μm DUV 厚膜光刻
中厚～厚膜 DUV 图形化
低粘度、涂敷均匀、无条纹、无缺角
一支胶覆盖全膜厚，简化产线物料
3、450nm 级高密度沟槽光刻
STI 浅沟槽、深沟槽、隔离沟槽
焦深 1.35μm，厚膜下依然对焦稳定
沟槽垂直、轮廓好、CD 控制稳定
4、240nm～600nm 线条 / 间距高精度光刻
逻辑 / 存储器件的多晶硅、金属线
分辨率 240nm
宽工艺窗口，适合量产
5、高稳定性要求的自动化产线
曝光后延迟稳定 ≥1 小时
PEB 温度敏感度低 <6nm/℃
不受环境波动影响，良率高
6、功率器件 / 高压器件 / IGBT / MOSFET
终端结构、场环、漂移区、注入区
厚胶、大尺寸、高可靠要求
耐热 150℃，耐注入损伤
7、MEMS、传感器、微机械结构
高深宽比结构、厚胶结构层
台阶高、表面起伏大
DUV 精度 + 厚膜能力完美匹配
8、180nm～350nm 成熟 DUV 制程量产
老款 DUV 机台（248nm）主力胶
搭配 MF CD-26 显影，兼容性极强
去胶容易（Remover 1165）

一、产品概述
UV26 是ROHM AND HAAS研发的DUV 深紫外正性光刻胶，主打深离子注入（Deep Implant）应用，采用低粘度配方，可实现1.1μm–3.0μm宽范围厚膜均匀涂覆，适用于线条、间距与沟槽图形化。
二、核心特性
厚膜专用：覆盖1.1μm–3.0μm膜厚区间，涂覆均匀性优异
低曝光能量：线 / 沟槽能量16.5–20.5mJ/cm2
大焦深：450nm 沟槽焦深达1.35μm
高稳定性：PED 稳定 ≥1 小时 ，PEB 敏感度 <6nm/℃
高热稳：150℃ 不形变
长保质期：6 个月
三、光刻性能（关键数据）
表格
图形类型 膜厚 能量 分辨率 焦深
350nm 线 / 间距 1.1μm 16.5mJ/cm2 240nm 0.80μm
450nm 沟槽 1.8μm 18.5mJ/cm2 280nm 1.35μm
600nm 线 / 间距 2.5μm 20.5mJ/cm2 500nm 1.00μm
四、标准工艺条件
表格
膜厚范围 软烘 PEB 显影
9700–25000? 130℃/60s 110℃/60s MF CD-26/45s
25000–41000? 140℃/60s 110℃/90s MF CD-26/45s
五、材料参数
Cauchy n1：1.519
248nm 折射率：1.724
Dill A：0.057μm?1；Dill B：0.401μm?1
显影速率：2000?/sec
六、兼容与配套
基底：硅、有机 / 无机抗反射层
增粘：HMDS 气相处理
去胶：Remover 1165双槽 80℃
4. 关键问题
问题：UV26 的核心定位与适用膜厚范围是什么？
答案：核心定位是DUV 深离子注入专用厚膜光刻胶，适用膜厚范围1.1μm–3.0μm。
问题：UV26 在 450nm 沟槽条件下的焦深与分辨率分别是多少？
答案：焦深1.35μm，分辨率280nm，具备极强的厚膜聚焦容错能力。
问题：UV26 的 PEB 敏感度与 PED 稳定性分别是多少，对量产有何意义？
答案：PEB 敏感度 <6nm/℃，温度漂移影响小；PED 稳定≥1 小时 ，可容忍产线传输延迟，显著提升良率与工艺稳定性。