铟掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on-Glass In-345）
In-345是 Desert Silicon 公司推出的铟掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源，核心含In、Si、O，铟原子浓度达 4×1021 atoms/cm3，具备业界铟掺杂剖面，3000rpm旋涂成膜厚度1500?、折射率1.50、粘度0.9cps，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，200℃起始固化、350℃以上致密强化，纯度可达<1ppm 或 < 50ppb，主要用于半导体高浓度表面掺杂，可定制浓度、工艺稳定且维护成本低。

一、产品基本信息
? 产品全称：Spin-on-Glass In-345
? 产品类型：铟掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
? 生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 In、Si、O
铟原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 铟（In）
粘度 0.9 cps
折射率 1.50
旋涂成膜厚度 1500 ?（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
致密化温度 350℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品优势
1. 提供业界铟掺杂剖面
2. 成膜均匀，覆盖一致性好
3. 采用高纯度原料，杂质控制严格
4. 维护与使用成本更低
5. 工艺稳定，不受流量影响
6. 支持定制目标浓度
7. 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用
? 应用领域：半导体高浓度表面掺杂
? 工艺特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至350℃以上，薄膜密度持续提升；建议按后续工艺温度烘烤；掺杂完成后玻璃层可去除
? 掺杂特点：源浓度高，可在基底表面形成高浓度掺杂层，推入后扩散至基底内部，匹配终目标掺杂浓度
五、包装、替代与可添加元素
? 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
? 替代方案：支持其他目标浓度定制
? 可添加元素：As、Sb、Ga、Al、Sn，提供化合物半导体专用元素
六、免责与安全提示
? 文档信息不提供任何明示或暗示担保
? 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
? 健康与安全信息请查阅MSDS文件
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4. 关键问题
1. 问题：In-345 的核心掺杂元素、浓度与成膜关键参数是什么？
答案：核心掺杂元素为铟（In），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂成膜1500?，折射率1.50，粘度0.9cps。
2. 问题：In-345 的固化温度区间、核心优势与应用特点是什么？
答案：200℃起始固化，350℃以上致密；核心优势是铟掺杂剖面、可定制浓度、低成本、工艺稳定；用于半导体表面高浓度掺杂，掺杂后玻璃可去除。
3. 问题：In-345 的保质期、纯度等级与可兼容掺杂元素有哪些？
答案：20℃保质期3 个月，4℃9 个月；纯度 <1ppm 或 < 50ppb；可添加As、Sb、Ga、Al、Sn等元素，支持化合物半导体掺杂。