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江西省赣州市上犹县AI芯片材料论文用2026年专业推荐
江西省赣州市上犹县AI芯片材料论文用2026年专业推荐
  • 供应产品:江西省赣州市上犹县AI芯片材料论文用2026年专业推荐
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  • 发布日期:2026/6/9 21:56:57
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供应信息

浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源(Spin-on-Glass P-280)
浓度磷掺杂旋涂玻璃液态源,专为半导体、功率器件、光伏、MEMS 提供超高剂量 N 型磷扩散掺杂,可替代 POCl?,同时吸附可动离子提升可靠性,是高浓度、低温、安全、均匀的重掺杂解决方案。
核心应用场景
1、半导体硅基 N 型重掺杂 / 高剂量扩散
用于源漏极重掺杂、N+ 阱、深埋层、发射区
实现极低方块电阻,满足高导电、高载流子浓度需求           许总:15220133370
2、功率器件制造(MOSFET / IGBT / FRD / LDMOS)
制作场限环、终端扩展、JFET 通道、欧姆接触层
提升耐压、降低导通电阻、改善高温稳定性
3、先进集成电路(IC)前后道工艺
超浅结 / 深结高浓度掺杂
替代传统 POCl? 扩散,更均匀、无腐蚀、无危险尾气
4、光伏晶硅电池(N 型电池)
硅片背面高浓度磷掺杂层
提升开路电压、降低串联电阻、提高转换效率
5、化合物半导体器件(GaAs、GaN、SiC 配套工艺)
用于欧姆电极、缓冲层、异质结掺杂
适配高温、高频、大功率器件制程
6、离子捕获与器件可靠性提升(关键独有功能)
磷作为 Na?、K? 等可动离子捕获剂(getter)
大幅降低离子污染,避免器件漏电、漂移、失效
7、MEMS、传感器、光电二极管、探测器
高均匀重掺杂,保证灵敏度、一致性、长期稳定性
兼顾掺杂 + 表面钝化双重作用
8、低温敏感器件工艺
150–200℃ 即可固化成膜,不损伤热敏材料、柔性基底

一、产品基本信息
产品全称:Spin-on-Glass P-280
产品类型:浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商:Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Si、O、P
磷原子浓度 1.9×1022 atoms/cm3
薄膜核心元素 磷(Phosphorus)
粘度 1.3 cps
旋涂成膜厚度 2200 ?(3000 rpm)
固化温度 150–200℃ 起始,300–650℃及以上致密
保质期 20℃:3 个月;4℃:9 个月
纯度 高纯度,支持高纯版本
三、产品优势
浓度磷掺杂,满足半导体高剂量掺杂需求
无需 POCl?,运输与使用安全简便
维护与使用成本更低
高纯度材料,杂质控制严格
薄膜涂覆均匀,一致性优异
熔点低于纯氧化硅,工艺兼容性更好
工艺稳定,不受流量影响
磷可吸附钠与其他移动离子,提升器件可靠性
四、典型应用
应用领域:半导体高剂量磷掺杂工艺
工艺特性:150–200℃固化形成低密度固态薄膜;升温至300–650℃以上膜层持续致密;建议按后续工艺温度烘烤
处理方式:掺杂完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格:240ml(8oz)、500ml(16oz),支持大包装定制
替代产品:P-240、P-250、P-260、P-640
可添加元素:As、Sb,支持多元素复配与化合物半导体专用配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题:P-280 的核心定位、磷掺杂浓度与成膜厚度分别是多少?
答案:定位为系列中浓度磷掺杂旋涂玻璃;磷浓度1.9×1022 atoms/cm3;3000rpm旋涂形成2200?薄膜。
问题:P-280 的固化温度区间与核心功能有哪些?
答案:150–200℃起始固化,300–650℃及以上致密化;核心功能为超高浓度磷掺杂与吸附钠等有害移动离子。
问题:P-280 的工艺优势、包装规格与可替代产品是什么?
答案:优势为无 POCl?风险、低成本、高纯度、工艺稳定;包装240ml、500ml及大包装;替代产品P-240、P-250、P-260、P-640。

联系方式
  • 企业名称: 深圳市芯泰科光电有限公司
  • 联 系 人: 许明久
  • 电 话: 0755-28190294 15220133370
  • Q Q: 332767299
  • 手 机: 0755-28190294 15220133370
  • 地 址: 深圳市龙华区大浪街道陶元社区中信科创园菊园411
  • 企业网址:http://www.ggsgg.com/coms/xintaike
  • 公司网站:http://www.ggsgg.com/coms/xintaike/
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其他产品信息
产品名称 产品价格 联系人 电话 发布日期
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