镓掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on-Glass Ga-100）

Ga-100是 Desert Silicon 公司推出的高浓度镓掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源，核心含Si、O、Ga，镓原子浓度达4E+21 atoms/cm3，3000rpm旋涂成膜厚度190nm，200℃起始固化、650℃以上强化，纯度可达<1ppm 或 < 50ppb，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，具备成膜均匀、高纯度、熔点更低、工艺稳定等优势，主要用于半导体掺杂，掺杂后玻璃层可去除。

一、产品基本信息
? 产品全称：Spin-on-Glass Ga-100
? 产品类型：镓掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
? 生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Si、O、Ga
镓原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 镓（Gallium）
粘度（635nm） 0.9 cps
折射率（635nm） 1.5
旋涂成膜厚度 190 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
强化烘烤温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品优势
1. 实现高浓度镓掺杂
2. 成膜均匀
3. 采用高纯度原料
4. 熔点低于纯氧化硅
5. 工艺稳定，不受流量影响
6. 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用
? 应用领域：半导体掺杂
? 工艺特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜强度持续提升；建议按后续工艺温度烘烤；掺杂完成后玻璃层可去除。
五、包装、替代与定制方案
? 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
? 替代产品：GaB-220
? 定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用配方
六、免责与安全提示
? 文档信息不提供任何明示或暗示担保
? 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
? 健康与安全信息请查阅MSDS文件
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4. 关键问题
1. 问题：Ga-100 的核心掺杂元素、浓度与成膜参数是什么？
答案：核心掺杂元素为镓（Ga），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成190nm厚薄膜。
2. 问题：Ga-100 的固化温度区间、纯度等级与产品优势是什么？
答案：200℃开始固化，650℃以上强化；纯度可达<1ppm 或 < 50ppb；核心优势为高浓度镓掺杂、成膜均匀、高纯度、工艺稳定。
3. 问题：Ga-100 的应用场景、包装规格与替代产品是什么？
答案：用于半导体掺杂，掺杂后玻璃层可去除；包装覆盖240ml~4L；替代产品为GaB-220。