高纯重浓度硒（Se）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on Glass Se-432HP）
高纯重浓度硒掺杂旋涂玻璃液态源，专为红外光电器件、第三代半导体、先进硅基功率器件提供高纯度、高均匀、高浓度硒扩散掺杂，是低温、安全、无剧毒气源的新型高端掺杂解决方案。

一、核心应用领域
1、红外光电器件（核心用途）
红外探测器、光电二极管、光敏器件、红外成像芯片                    许总：15220133370
硒掺杂可调控能带结构、红外吸收、载流子寿命
提升器件响应度、灵敏度、信噪比
2、第三代半导体掺杂（SiC / GaN / GaAs）
用于N 型重掺杂、欧姆接触层、缓冲层、电流限制层
提升高频、大功率器件的导电性与稳定性
3、先进硅基半导体：深能级掺杂与缺陷调控
用于载流子寿命控制、漏电、击穿电压优化
适用于高压二极管、功率器件、辐射探测器等
4、光电子、量子器件与新型半导体研究
硒作为特殊掺杂剂用于新型光电、光伏、自旋电子器件
实验室、研究所、MPW 流片小批量试制
5、MEMS 与微结构器件
低温旋涂成膜（200℃起固化），不损伤微结构
兼顾掺杂、钝化、表面保护一体化工艺
6、化合物半导体外延 / 异质结界面改性
提供高纯、均匀、稳定的硒源
降低接触电阻、改善界面态、提升器件良率

一、产品基本信息
产品全称：Spin-on Glass Se-432HP
产品类型：高纯重浓度硒（Se）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
核心元素 Se、Si、O
硒原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 硒（Selenium）
粘度（635nm） 0.9 cps
折射率（635nm） 1.5
旋涂成膜厚度 140 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
致密化温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品核心优势
重浓度硒掺杂，满足半导体高剂量硒掺杂需求
薄膜涂覆均匀，一致性优异
高纯度材料，杂质控制严格
熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更好
工艺稳定，不受流量影响
可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用说明
应用领域：半导体硒掺杂工艺
固化特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜持续致密
工艺建议：若保留玻璃层，烘烤温度不低于后续制程温度
后处理：掺杂扩散完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品：S-237HP、Te-432HP
定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用元素配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题：Se-432HP 的核心掺杂元素、浓度与成膜参数是什么？
答案：核心掺杂元素为硒（Se），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成140nm厚薄膜，粘度0.9cps，折射率1.5。
问题：Se-432HP 的固化温度区间、工艺特点与核心优势有哪些？
答案：200℃起始固化，650℃以上致密化；工艺特点为低温固化、掺杂后玻璃可去除；核心优势是重浓度硒掺杂、高纯度、成膜均匀、工艺稳定。
问题：Se-432HP 的纯度规格、保质期与可替代产品分别是什么？
答案：纯度可达 <1ppm 或 < 50ppb；20℃保质期 3 个月、4℃9 个月；可替代产品为S-237HP、Te-432HP。