高纯中浓度锡（Sn）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on-Glass Sn-365HP）
高纯中浓度锡掺杂旋涂玻璃液态源，专为新型光伏、红外光电器件、化合物半导体、MEMS 提供高纯、均匀、低温的锡掺杂与薄膜制备，是安全、易用、高性能的旋涂掺杂解决方案。

核心应用场景
1、新型光伏电池（钙钛矿、HJT、IBC、TOPCon）                  许总：15220133370
用于透明导电层、界面缓冲层、载流子传输层
提升光电转换效率、降低界面复合、增强稳定性
2、红外光电器件与光电探测器
调控红外吸收、能带结构、折射率
用于红外光电二极管、光敏器件、成像传感器
3、功率半导体 & 高压器件
硅基 / 化合物半导体界面改性、缓冲层、掺杂补偿
降低漏电、优化击穿电压、提升高温稳定性
4、化合物半导体（GaAs、GaN、SiC、Sb 基）
作为N 型掺杂源、欧姆接触辅助层、异质结适配层
改善晶格匹配、降低接触电阻
5、MEMS 与微结构器件
低温旋涂成膜（200℃起固化），不损伤微结构
兼顾掺杂、绝缘、钝化、平坦化多重功能
6、光学薄膜 / 光波导 / 滤光器件
制备可调折射率透明氧化硅基薄膜
用于波导、减反膜、滤光片、光学隔离层
7、半导体器件钝化与保护层
低温成膜、高致密、高绝缘
适用于热敏器件、柔性器件
8、科研 / 高校 / 流片（MPW）
安全液态源，无需剧毒气体、无需真空设备
适合新工艺研发、小批量试制

一、产品基本信息
产品全称：Spin-on-Glass Sn-365HP
产品类型：高纯中浓度锡（Sn）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Si、O、Sn
锡原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 锡（Tin）
粘度（635nm） 0.9 cps
折射率（635nm） 1.47
旋涂成膜厚度 180 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
致密强化温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
三、产品核心优势
中浓度锡掺杂，满足半导体常规锡掺杂需求
薄膜涂覆均匀，一致性优异
高纯度材料，杂质控制严格
熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更好
工艺稳定，不受流量影响
四、典型应用说明
应用领域：半导体锡掺杂工艺
固化特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜强度持续提升
工艺建议：烘烤温度不低于后续制程温度
后处理：掺杂扩散完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品：Zn-640、ZnAs-200
定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用元素配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题：Sn-365HP 的核心掺杂元素、浓度与成膜条件是什么？
答案：核心掺杂元素为锡（Sn），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成180nm厚薄膜，粘度0.9cps，折射率1.47。
问题：Sn-365HP 的固化温度区间、工艺特点与核心优势有哪些？
答案：200℃起始固化，650℃以上致密强化；工艺特点为低温固化、掺杂后玻璃可去除；核心优势是中浓度锡掺杂、高纯度、成膜均匀、工艺稳定。
问题：Sn-365HP 的应用场景、保质期与可替代产品分别是什么？
答案：主要用于半导体锡掺杂工艺；20℃保质期 3 个月、4℃9 个月；可替代产品为Zn-640、ZnAs-200。