
系列光刻胶高感光度高附着性线线通用正型光刻胶线线通用高感光度高附着性正型光刻胶,特别为线的关键层优化,特征线,线通用通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口通过提高光刻胶的附着性,从而改善了湿法刻蚀的工艺窗口参考工艺条件前烘秒曝光线线步进式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或
发布日期:2026/7/20 13:21:07
系列光刻胶高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电有限公司光电
发布日期:2026/7/20 13:16:41
深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理司是一家服务于半导体和光电子行业的产品技术服务提供商。公司创立于年已成为国内半导体光电子行业相关研究所和大学可以信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户以客户满意为导向提供优质率的专业服务导入以代理原厂产品为中心的共用通路平台提供产品行销及技术支援解决方案。
发布日期:2026/7/20 13:13:13
深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理司是一家服务于半导体和光电子行业的产品技术服务提供商。公司创立于年已成为国内半导体光电子行业相关研究所和大学可以信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户以客户满意为导向提供优质率的专业服务导入以代理原厂产品为中心的共用通路平台提供产品行销及技术支援解决方案。
发布日期:2026/7/20 13:12:56
高精度正胶它是难附着表面中厚膜高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中厚膜正性光刻胶,可实现中厚膜图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期:2026/7/18 10:34:19
高精度正胶它是难附着表面中薄层高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶,可实现中薄层图形化,具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强,广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期:2026/7/18 10:30:57
干湿蚀刻负胶是适用于紫外曝光的中薄层负性光刻胶,可实现膜厚图形化,具备高分辨率快感光快显影耐高温在电镀与湿法刻蚀环境中附着力优异等特点,可在室温下使用轻松去除,且室温保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件金属电镀湿法刻蚀传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域,尤其适合需要高附着力中薄层精细图形与湿法
发布日期:2026/7/18 9:31:13
蒸镀剥离负胶它是薄层精细光刻金属剥离浅刻蚀的通用型光刻胶。是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶,可实现薄膜图形化,具备高分辨率高感光度快显影优异附着力耐高温易去除等特点,且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件微细金属剥离传感器光电器件等领域,适合薄层精细光刻浅刻蚀掩模与微细电极图形化加工。一
发布日期:2026/7/18 9:26:13
蒸镀负胶它是金属剥离工艺的专用胶是适用于紫外曝光的薄层负性光刻胶,专为金属剥离工艺设计,显影后可形成负倾斜侧壁,且底切程度可通过曝光剂量灵活调节,具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点,室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件微细电极传感器光电器件等领域,尤其适合需要高精度金属剥离无毛刺图形制备
发布日期:2026/7/18 9:21:50
高精度负胶它专门用于超精细超薄高精度的半导体与微纳加工。是适用于紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶,可实现超薄膜图形化,具备超高分辨率高感光度优异附着力易去除等特点,且在室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件超精细半导体工艺传感器光电器件等领域,尤其适合超薄层超精细线宽高精度图形的光刻加工
发布日期:2026/7/18 9:17:31