- 研究所开发顶部防反射涂层AZ AQUATAR-Ⅵ
顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下，有必要使用系列改善光刻胶线宽，并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性，有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液，因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布
发布日期：2026/6/4 10:08:32 - 大学开发 顶部防反射涂层AZ AQUATAR-Ⅲ-45
顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下，有必要使用系列改善光刻胶线宽，并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性，有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液，因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布
发布日期：2026/6/4 10:08:29 - 研究所开发顶部防反射涂层AZ AQUATAR
顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下，有必要使用系列改善光刻胶线宽，并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性，有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液，因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布
发布日期：2026/6/4 10:08:28 - 光电所开发顶部防反射涂层AZ AQUATAR-45
顶部防反射涂层材料系列许总零应用于超高分辨率图形加工的顶部防反射涂层在超高分辨率下，有必要使用系列改善光刻胶线宽，并降低薄膜干涉造成的驻波效应特征适用于各种高解像度线光刻胶提高了光刻胶表面的亲水性，有效地减少了显影引起的缺陷许总零水溶性溶液，因此适于加入现有的工艺中参考工艺条件条件涂布光刻胶前烘涂布
发布日期：2026/6/4 10:08:27 - 大学研究所开发液晶面板的高感光度正胶AZ TFP-650H2
系列光刻胶许总零应用于液晶面板制造的超高感光度，旋涂式正型光刻胶超高感光度及超高附着性正型光刻胶，适用于液晶面板制造，特别为制造工艺优化，使用安全溶剂,,特征特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率许总零在显影及蚀刻时在各种金属膜上实现高附着性同时实现高附着性和高可去除性参考工艺条件前烘秒曝光曝光机线
发布日期：2026/6/4 10:08:26 - 光电研究所开发液晶面板的高感光度正胶AZ TFP-650F5
系列光刻胶许总零应用于液晶面板制造的超高感光度，旋涂式正型光刻胶超高感光度及超高附着性正型光刻胶，适用于液晶面板制造，特别为制造工艺优化，使用安全溶剂,,特征特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率许总零在显影及蚀刻时在各种金属膜上实现高附着性同时实现高附着性和高可去除性参考工艺条件前烘秒曝光曝光机线
发布日期：2026/6/4 10:08:25 - 光电研究所开发液晶面板制造的旋涂正胶AZ TFP-310K
系列光刻胶许总零应用于液晶面板制造的旋涂式正型线光刻胶为液晶面板制造，特别为彩色滤光片的制造工艺优化，使用安全溶剂,特征许总零在大面积玻璃称底上实现良好的涂布特性在铬膜和薄膜上实现高附着性同时实现高附着性和高可去除性参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影氢氧化钾秒秒清洗去离子水秒后烘秒和或分钟烘箱剥离剥离
发布日期：2026/6/4 10:08:24 - 大学研究所开发第五代以上液晶面板制造的正胶AZ SR-110
系列光刻胶许总零应用于第五代以上液晶面板制造的涂布正型光刻胶系列适用于第五代以上液晶面板涂布工艺特征适用于涂布方式与旋涂式光刻胶相比，有同样良好的涂布均匀性许总零节省光刻胶使用量以及节约能量工艺窗口很宽参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或高浓度碱性溶液产品型号产品感光
发布日期：2026/6/4 10:08:23 - 光电研究所开发第五代以上液晶面板制造的正胶AZ SR-100
系列光刻胶许总零应用于第五代以上液晶面板制造的涂布正型光刻胶系列适用于第五代以上液晶面板涂布工艺特征适用于涂布方式与旋涂式光刻胶相比，有同样良好的涂布均匀性许总零节省光刻胶使用量以及节约能量工艺窗口很宽参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或高浓度碱性溶液产品型号产品感光
发布日期：2026/6/4 10:08:22 - 光电研究所开发第五代液晶面板用正胶AZ SFP-1400
系列光刻胶许总零应用于第五代液晶面板制造的旋涂式正型光刻胶系列适用于第五代液晶面板旋涂工艺，有更好的缺陷控制特性特征许总零减少旋涂方式所产生的缺陷在工艺的各种金属膜上实现高附着性同时实现高附着性和高可去除性宽工艺窗口参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或高浓度碱性溶液产
发布日期：2026/6/4 10:08:20