深圳市芯泰科光电有限公司
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  • 大学研究所开发第五代以上液晶面板制造的正胶AZ SR-210

    系列光刻胶许总零应用于第五代以上液晶面板制造的涂布正型光刻胶系列适用于第五代以上液晶面板涂布工艺特征适用于涂布方式与旋涂式光刻胶相比,有同样良好的涂布均匀性许总零节省光刻胶使用量以及节约能量工艺窗口很宽参考工艺条件前烘秒曝光曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或高浓度碱性溶液产品型号产品感光

    发布日期:2026/6/4 10:08:53

  • 研究所应用于通孔图形的KrF正型光刻胶AZ DX3200P

    系列光刻胶许总零应用于通孔图形的正型光刻胶超高分辨率正型光刻胶,为通孔图形优化,特征工艺窗口大许总零适用于相移光罩适用于密集线图形参考工艺条件前烘秒曝光步进式曝光机曝光后烘烤秒显影秒清洗去离子水秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产品型号深圳市芯泰科光电有限公司光电材料微电子材料电子元器件半导体产品主要客

    发布日期:2026/6/4 10:08:52

  • 光电研究所开发有机电致发光阴极隔离的负胶AZ CTP-100K

    系列光刻胶许总零应于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶为阴极隔离而研发的负型光刻胶,它可以实现稳定的倒三角轮廓,并拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂,特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽物理特性优异,可当作残留材料许总零参考工艺条件前烘秒膜厚微米曝光宽频,接近式曝光机曝光后

    发布日期:2026/6/4 10:08:51

  • 研空所开发有机电致发光阴极隔离的负胶AZ CTP-100K

    系列光刻胶许总零应于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶为阴极隔离而研发的负型光刻胶,它可以实现稳定的倒三角轮廓,并拥有很好的热稳定性和工艺窗口。使用安全溶剂,特征由于高感光度和高残膜率实现高产出率工艺窗口很宽物理特性优异,可当作残留材料许总零参考工艺条件前烘秒膜厚微米曝光宽频,接近式曝光机曝光后

    发布日期:2026/6/4 10:08:50

  • 研究所专用高感光度高附着性G线I线通用正型光刻胶AZ3100

    系列光刻胶许总零高感光度高附着性线线通用正型光刻胶线线通用高感光度高附着性正型光刻胶,特别为线的关键层优化,特征线,线通用通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口通过提高光刻胶的附着性,从而改善了湿法刻蚀的工艺窗口参考工艺条件前烘秒曝光线线步进式曝光机许总零显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥

    发布日期:2026/6/4 10:08:49

  • 光电所Lift-off工艺图形反转正/负可转换AZ5200NJ

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/6/4 10:08:48

  • 研究所专用高感光度高热稳定性G线正型光刻胶AZ 6112

    系列光刻胶许总零高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性,从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围许总零参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体

    发布日期:2026/6/4 10:08:47

  • 光电所Lift-off工艺图形反转正/负可转换AZ5200E

    系列光刻胶许总零应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶,特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形许总零很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒全面曝光在曝光光源下全面照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液

    发布日期:2026/6/4 10:08:46

  • 高感光度标准G线正型光刻胶AZ 1500

    系列光刻胶许总零高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进许总零广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电

    发布日期:2026/6/4 10:08:45

  • 应用于电镀工艺超厚膜,高分辨率I线正型光刻胶AZ 10XT

    系列光刻胶许总零应用于电镀工艺的超厚膜,高分辨率线正型光刻胶超厚膜,高分辨率,高纵宽比线正型光刻胶,适用于微电镀工艺特征许总零高分辨率,高纵宽比高附着性,对电镀工艺高耐受性多种粘度可供选择参考工艺条件前烘秒以上曝光线步进式曝光机接触式曝光系统许总零显影显影液秒显影液秒清洗去离子水后烘秒以上剥离剥离液

    发布日期:2026/6/4 10:08:44