- 天津南开区IGBT芯片开发用2026特别推产品
底部防反射涂层材料,,系列应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层在减小称底特别是高反射率称底的反射率，从而提高光刻胶线宽控制方面，的底部防反射涂层材料是一种必需的手段。该产品范围覆盖了线工艺，另外，它也适用于的工艺,,特征对线等高分辨率光刻胶具有很好的亲和性中性成分组成以及高温交联剂的使用使之具有
发布日期：2026/5/26 7:25:23 - 河北省廊坊市安次区实验用电话
系列光刻胶高感光度高热稳定性线正型光刻胶广泛应用于大规模集成电路的高感光度高热稳定性线正型光刻胶特征通过提高光刻胶的热稳定性，从而改善了干法刻蚀的工艺窗口高感光度带来了高产出率很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯
发布日期：2026/5/26 7:21:22 - 浙江省舟山市岱山县IGBT芯片课题开发2026特别推产品
系列光刻胶应用于工艺图形反转正负可转换型光刻胶高解像度图形反转正负可改变型光刻胶，特别为工艺优化,特征适用于高分辨率工艺工艺适用于正负图形很宽的膜厚范围参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机反转烘烤秒去离子水秒曝光在曝光光源下照射显影秒秒秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化产
发布日期：2026/5/26 7:17:43 - 河南省三门峡市湖滨区QLED材料论文用2026年特别推荐
系列光刻胶高感光度高附着性线线通用正型光刻胶线线通用高感光度高附着性正型光刻胶，特别为线的关键层优化,特征线，线通用通过提高光刻胶的热稳定性，从而改善了干法刻蚀的工艺窗口通过提高光刻胶的附着性，从而改善了湿法刻蚀的工艺窗口参考工艺条件前烘秒曝光线线步进式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或
发布日期：2026/5/26 7:13:38 - 陕西省咸阳市三原县课题开发2026特别推产品
系列光刻胶高感光度标准线正型光刻胶为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度线正型光刻胶,,特征高感光度,高产出率高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进广泛应用于全球半导体行业参考工艺条件前烘秒曝光线步进式曝光机接触式曝光机显影秒清洗去离子水秒后烘秒剥离剥离液及或氧等离子体灰化深圳市芯泰科光电有限公司光电
发布日期：2026/5/26 7:08:43 - 湖南省邵阳市邵东县咨询2026年特别推荐
深圳市芯泰科光电有限公司产品热线许经理司是一家服务于半导体和光电子行业的产品技术服务提供商。公司创立于年已成为国内半导体光电子行业相关研究所和大学可以信赖的合作伙伴公司秉持以忠诚态度对待新旧客户以客户满意为导向提供优质率的专业服务导入以代理原厂产品为中心的共用通路平台提供产品行销及技术支援解决方案。
发布日期：2026/5/26 7:05:13 - 台湾省台北市内湖区微处理器芯片材料研发用电话
浓度锑掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源浓度锑掺杂旋涂玻璃液态源，专为硅基半导体功率器件射频器件高压提供高浓度高均匀高稳定的型扩散掺杂，是替代剧毒气态锑源的安全低温重掺杂方案。核心应用场景硅基半导体型重掺杂用于制作深埋层型阱源漏极重掺杂发射区许总实现高浓度低方块电阻的稳定型掺杂功率器件高浓度扩散形成低阻导通区
发布日期：2026/5/26 7:01:03 - 山西省朔州市朔城区咨询2026年专业推荐
浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源浓度磷掺杂旋涂玻璃液态源，专为半导体功率器件光伏提供超高剂量型磷扩散掺杂，可替代，同时吸附可动离子提升可靠性，是高浓度低温安全均匀的重掺杂解决方案。核心应用场景半导体硅基型重掺杂高剂量扩散用于源漏极重掺杂阱深埋层发射区实现极低方块电阻，满足高导电高载流子浓度需求许总功率
发布日期：2026/5/26 6:56:40 - 四川省德阳市绵竹市光电所价格2026最专业推荐
中浓度钇掺杂硅酸盐旋涂玻璃中浓度钇掺杂旋涂玻璃是高纯高温稳定的旋涂掺杂源，主要用于第三代半导体器件钝化与栅介质硅基器件缺陷钝化高温绝缘层及超导薄膜前驱制备。核心应用场景第三代半导体器件许总用作栅介质钝化层绝缘缓冲层栅极绝缘改性提升器件耐高温抗漏电耐压长期可靠性适用于功率器件硅基半导体掺杂与界面改性用
发布日期：2026/5/26 6:53:08 - 湖南省张家界市永定区5G芯片材料课题开发热线
中等浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源是推出的中等浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻璃，核心成分为，磷原子浓度达，旋涂可形成厚薄膜，保质期个月个月，起始固化以上致密强化，具备无运输风险高纯度成膜均匀可吸附钠离子等优势，主要用于半导体磷掺杂，掺杂后玻璃层可去除。一产品基本信息产品全称产品类型中等浓度磷掺杂硅酸盐旋涂玻
发布日期：2026/5/26 6:49:01