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耐蚀刻负胶它是厚膜刻蚀掩模厚金属电镀高温高深宽比结构的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于厚膜干法刻蚀厚金属电镀功率器件传感器光电器
发布日期：2026/5/27 7:23:44 - 甘肃省庆阳市庆城县集成电路价格2026最专业推荐
金属剥离负胶它是高温制程中厚膜金属剥离的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备耐高温优异膜厚均匀性无需增粘剂高分辨率快显影等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件高温与高精度剥离制
发布日期：2026/5/27 7:18:50 - 安徽省阜阳市颍东区生物芯片材料课题开发2026特别推产品
电镀负胶它是中厚膜高精度刻蚀掩模高温制程中厚金属电镀的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现中厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于中厚膜干法刻蚀中厚金属电镀功率器件传感器
发布日期：2026/5/27 7:14:01 - 云南省红河哈尼族彝族自治州红河县半导体产品答辨用年度最佳供应商
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发布日期：2026/5/27 7:10:17 - 安徽省亳州市蒙城县实验用2026最专业推荐
高精度负胶它是高精度薄层图形高温制程干法刻蚀超细电极掩模的理想型号。是适用于紫外曝光的超高分辨率薄层负性光刻胶，可实现薄膜图形化，具备超高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于超精细半导体器件功率器件传感器光电器件高温与干法刻蚀
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高精度负胶它是超精细图形高温制程干法刻蚀超薄掩模的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的超高分辨率超薄层负性光刻胶，可实现超薄膜图形化，具备超高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶可通过高温固化成为器件永久结构，广泛应用于超精细半导体器件功率器件传感器光电器件高温与干法
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超厚负胶是超厚金属电镀高深宽比结构大功率器件的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的超厚膜负性光刻胶，可实现超厚膜图形化，具备高分辨率快显影电镀环境下附着力优异易去除等特点，能够满足高深宽比结构加工需求。该光刻胶广泛应用于超厚金属电镀微结构大功率器件射频器件微流控芯片玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合需要超厚
发布日期：2026/5/27 6:57:21 - 湖北省仙桃市显示开发课题开发热线
负胶是低能量曝光专用金属剥离的型号。是适用于宽谱紫外曝光的中薄层负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备超高感光度高分辨率快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶在弱光与低能量曝光环境下仍能稳定成像，广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基底加工
发布日期：2026/5/27 6:53:27 - 海南省定安县实验用2026最专业推荐
负胶适合曝光能量弱多波长设备中薄层金属剥离场景。是适用于多波长紫外曝光的中薄层负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备超高感光度快显影耐高温室温去胶等特点。该光刻胶兼容多种曝光设备，涂覆均匀且工艺稳定，广泛应用于功率器件传感器光电器件玻璃陶瓷基
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负胶专门用于超厚金属电极的剥离工艺。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，专为厚膜金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备高分辨率快显影耐高温易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件厚金属电极传感器射频光电器件玻璃陶瓷基底加工等领域，尤其适合厚
发布日期：2026/5/27 6:44:59