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发布日期：2026/8/27 20:43:22 - 福建省泉州市惠安县MEMS器件实验用2026最专业推荐
超厚正胶它是难附着表面超厚膜光刻高深宽比刻蚀大结构图形低热基板的专用正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超厚膜正性光刻胶，可实现超厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶支持边缘珠去除工艺，超厚膜均匀性与结构稳定性优异，广泛应用于
发布日期：2026/8/27 20:38:19 - 青海省西宁市湟中县研究所开发用热线
耐蚀刻正胶它是难附着表面厚膜高精度反射衬底低热基板厚胶刻蚀的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力厚膜正性光刻胶，可实现厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制一核心应用场景难附着表面厚膜光刻匹配金属合金氧化物氮化物异质结等极易脱膜翘边底切的表面许总要求超高附着力，但不能不推荐使
发布日期：2026/8/27 20:34:09 - 江苏省南京市秦淮区QLED材料论文用2026年特别推荐
高精度正胶它是难附着表面中厚膜高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中厚膜正性光刻胶，可实现中厚膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期：2026/8/27 20:30:17 - 辽宁省大连市普兰店市基因测序芯片材料新产品开发2026年专业推荐
高精度正胶它是难附着表面中薄层高精度反射衬底低温简单制程的理想正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力中薄层正性光刻胶，可实现中薄层图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低
发布日期：2026/8/27 20:26:09 - 江苏省淮安市清河区论文用2026年专业推荐
高精度正胶它是难附着表面薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力薄层正性光刻胶，可实现薄膜图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导基板科
发布日期：2026/8/27 20:21:53 - 甘肃省酒泉市金塔县AI芯片材料论文用2026年专业推荐
高附着力正胶它是难附着表面超薄层高精度反射衬底低温简单制程的正胶。是适用于紫外曝光的超高附着力超薄正性光刻胶，可实现超薄层图形化，具备优异基材附着力无需增粘剂高分辨率良好线宽控制反射缺口后易去除等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶工艺简单兼容性强，广泛应用于难附着表面高反射衬底微细图形加工玻璃低热导
发布日期：2026/8/27 20:17:51 - 黑龙江省齐齐哈尔市克山县CIS芯片材料开发用2026特别推产品
耐蚀刻负胶它是厚膜刻蚀掩模厚金属电镀高温高深宽比结构的专用光刻胶。是适用于紫外曝光的厚膜负性光刻胶，可实现厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于厚膜干法刻蚀厚金属电镀功率器件传感器光电器
发布日期：2026/8/27 20:12:50 - 广西壮族自治区桂林市恭城瑶族自治县答辨用2026年友情推荐
金属剥离负胶它是高温制程中厚膜金属剥离的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，专为金属剥离工艺设计，显影后可形成负倾斜侧壁，且底切程度可通过曝光剂量灵活调节，具备耐高温优异膜厚均匀性无需增粘剂高分辨率快显影等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶广泛应用于功率器件传感器光电器件高温与高精度剥离制
发布日期：2026/8/27 20:08:20 - 云南省楚雄彝族自治州大姚县光机所论文用2026年专业推荐
电镀负胶它是中厚膜高精度刻蚀掩模高温制程中厚金属电镀的专用型号。是适用于紫外曝光的中厚膜负性光刻胶，可实现中厚膜图形化，显影后具有垂直侧壁形貌，具备高分辨率耐高温优异抗干法刻蚀性无需增粘剂等特点，室温下保质期长达年。该光刻胶涂覆均匀附着力强显影快速，广泛应用于中厚膜干法刻蚀中厚金属电镀功率器件传感器
发布日期：2026/8/27 20:04:13