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发布日期：2026/6/8 5:44:16

镓硼双掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on-Glass GaB-220）

GaB-220是 Desert Silicon 公司推出的镓硼双掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源，核心含Si、O、Ga、B，其中Ga 浓度 4×1021 atoms/cm3、B 浓度 9.4×1021 atoms/cm3，3000rpm旋涂可形成270nm厚薄膜，200℃起始固化、650℃以上强化，纯度可达<1ppm 或 < 50ppb，20℃保质期 3 个月、4℃9 个月，适用于半导体掺杂，具备镓硼混合掺杂、成膜均匀、高纯度、工艺稳定等优势。

一、产品基本信息
? 产品全称：Spin-on-Glass GaB-220
? 产品类型：镓硼双掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
? 生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Si、O、Ga、B
镓原子浓度 4×1021 atoms/cm3
硼原子浓度 9.4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 镓、硼
粘度（635nm） 1.0 cps
折射率（635nm） 1.5
旋涂成膜厚度 270 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
强化烘烤温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品优势
1. 实现镓、硼混合掺杂，满足双元素掺杂需求
2. 成膜均匀，覆盖一致性优异
3. 采用高纯度原料，杂质控制严格
4. 熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更佳
5. 工艺稳定，不受流量影响
6. 可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用
? 应用领域：半导体掺杂
? 工艺特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜强度持续提升；建议按后续工艺温度烘烤；掺杂完成后玻璃层可去除。
五、包装、替代与定制方案
? 包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
? 替代产品：Ga-100、B-1200
? 定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用配方
六、免责与安全提示
? 文档信息不提供任何明示或暗示担保
? 用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
? 健康与安全信息请查阅MSDS文件
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4. 关键问题
1. 问题：GaB-220 的核心掺杂元素、浓度及成膜参数是什么？
答案：核心为镓（Ga）、硼（B）双掺杂，Ga 浓度4×1021 atoms/cm3，B 浓度9.4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成270nm厚薄膜。
2. 问题：GaB-220 的固化温度区间、纯度等级与核心优势是什么？
答案：200℃开始固化，650℃以上强化；纯度可达<1ppm 或 < 50ppb；核心优势为镓硼双掺杂、高纯度、成膜均匀、工艺稳定。
3. 问题：GaB-220 的应用场景、包装规格与替代产品有哪些？
答案：用于半导体掺杂，掺杂后玻璃层可去除；包装覆盖240ml~4L；替代产品为Ga-100、B-1200。