发布日期：2026/6/6 23:10:25
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Zn 掺杂源 + As 扩散阻挡层双功能旋涂玻璃（Spin-on Glass ZnAs-650）
Zn 掺杂源 + As 扩散阻挡层双功能旋涂玻璃，专为 GaAs 基化合物半导体设计，在高温扩散中提供稳定 P 型锌掺杂，同时补偿砷流失、防止锌逃逸，实现均匀、无缺陷、高一致性的 P 型扩散层。
核心应用场景：
1、GaAs 基化合物半导体 P 型掺杂（核心用途） 许总：15220133370
专门用于GaAs、AlGaAs、InGaAs 等 Ⅲ?Ⅴ 族材料
提供稳定Zn P 型掺杂，同时补偿As 流失
2高温扩散中双重保护
防止Zn 掺杂剂从表面逸出，保证掺杂浓度
阻止GaAs 基底中的 As 高温分解外扩
消除浓度梯度，方块电阻更均匀
3、红光 / 红外 LED、LD、光电探测器
P 型扩散层、有源区、限制层制备
目标浓度：5×101?–5×101? cm?3 完美匹配器件
4、GaAs 功率器件 & 射频器件
二极管、三极管、HEMT、微波功率器件
高纯 <50 ppb，无杂质污染，适合高可靠、车规级
5、外延片扩散补偿工艺
弥补 GaAs 外延片在高温扩散时As 失重
保持晶格稳定、减少缺陷、提升良率
6、科研 / MPW 流片 / 小批量试制
液态旋涂，无需剧毒源、无需 CVD/PVD
快速做 P 型掺杂、扩散、浓度分布验证
一、产品基本信息
产品全称：Spin-on Glass ZnAs-650
核心组分：Si、Zn、As
产品定位：Zn 掺杂源 + As 扩散阻挡层双功能旋涂玻璃
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、关键性能参数
表格
参数项 数值 / 规格
锌原子浓度 5×1021 atoms/cm3
砷原子浓度 1×1021 atoms/cm3
粘度（635nm） 0.90 cps
折射率 1.486
旋涂成膜厚度 2100 ? @3000 rpm
20℃保质期 3 个月
4℃保质期 9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品核心优势
双功能协同：高浓度 Zn 掺杂源+As 扩散阻挡层，掺杂剂逸出
浓度精准可控：终 Zn/As 目标浓度稳定在5×101? ~ 5×101? atoms/cm3
成膜均匀：涂层一致性优异，保证扩散均匀性与工艺重复性
超高纯度：杂质含量≤1ppm/50ppb，满足化合物半导体高端制程
低熔点：熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更强
四、典型应用说明
核心用途：GaAs 等 III-V 族化合物半导体高温扩散掺杂工艺
工作机制
表面提供高浓度 Zn/As 双源
补偿高温下基底As 元素分解流失
防止 Zn 从表面逸出，保证掺杂效率
适用场景：LED、光电器件、功率器件P 型区双掺杂制备
五、包装与配套方案
包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品：Zn640、Zn-655、ZnAsP-320
可添加元素：S、Se、Te，支持化合物半导体定制
4. 关键问题
问题：ZnAs-650 的核心功能与膜内 Zn、As 浓度分别是多少？
答案：核心功能为高浓度 Zn 掺杂源 + As 扩散阻挡层；膜内Zn 浓度 5×1021 atoms/cm3，As 浓度 1×1021 atoms/cm3。
问题：ZnAs-650 主要针对哪种半导体材料，可解决什么关键问题？
答案：主要针对GaAs 等 III-V 族化合物半导体；可解决高温扩散时基底 As 流失与Zn 掺杂剂逸出的问题。
问题：ZnAs-650 可实现的终掺杂浓度范围、成膜条件及纯度等级是多少？
答案：终 Zn/As 浓度为5×101?~5×101? atoms/cm3；3000rpm旋涂形成2100?薄膜；纯度达 <1ppm 或 < 50ppb。
