发布日期：2026/6/6 16:05:02
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高纯重浓度碲（Te）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on Glass Te-432HP）许总：15220133370
高纯重浓度碲掺杂旋涂玻璃液态源，专为红外光电器件、第三代半导体、先进硅基功率器件提供高纯度、高均匀、高浓度碲扩散掺杂，是低温、安全、无剧毒气源的新型高端掺杂解决方案。
核心应用场景
1、红外光电器件（核心用途）
红外探测器、光电二极管、红外成像芯片、激光探测器件
碲掺杂可调控红外吸收、能带结构、载流子寿命
提升器件响应度、灵敏度、探测率
2、第三代半导体掺杂（SiC / GaN / GaAs / InP）
用于N 型重掺杂、欧姆接触层、缓冲层、电流限制层
提升高频、大功率器件导电性、稳定性、耐高温
3、先进硅基半导体：深能级掺杂与缺陷调控
用于载流子寿命控制、漏电、击穿电压优化
适用于高压二极管、功率器件、辐射探测器、特种传感器
4、光电子、量子器件与新型半导体研究
碲作为特殊深能级掺杂剂，用于新型光电、光伏、自旋电子器件
高校、研究所、MPW 流片、小批量新工艺验证
5、MEMS 与微结构器件
低温旋涂成膜（200℃起固化），不损伤微机械结构
兼顾掺杂、钝化、表面保护、平坦化一体化工艺
6、化合物半导体外延 / 异质结界面改性
提供高纯、均匀、稳定的碲源
降低接触电阻、改善界面态、提升器件良率与可靠性
7、高可靠性器件（车规 / 工业 / 航天）
漏电、稳定击穿特性、减少器件漂移
用于高压、高频、高功率、长寿命器件
一、产品基本信息
产品全称：Spin-on Glass Te-432HP
产品类型：高纯重浓度碲（Te）掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
目标元素 Te、Si、O
碲原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 碲（Tellurium）
粘度（635nm） 0.9 cps
折射率（635nm） 1.5
旋涂成膜厚度 210 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
致密化温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品核心优势
重浓度碲掺杂，可满足半导体高剂量碲掺杂需求
薄膜涂覆均匀，一致性与重复性优异
高纯度材料，杂质控制达到 <1ppm/<50ppb 级别
熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更强
工艺稳定，不受流量影响，适配自动化产线
四、典型应用说明
应用领域：半导体碲掺杂工艺
固化特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜持续致密化
工艺建议：若保留玻璃层，烘烤温度不低于后续制程温度
后处理：掺杂扩散完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品：S-237HP、Se-432HP
定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用元素配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题：Te-432HP 的核心掺杂元素、浓度与成膜厚度分别是多少？
答案：核心掺杂元素为碲（Te），浓度为4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成210nm厚薄膜。
问题：Te-432HP 的固化温度区间、纯度等级与核心优势是什么？
答案：200℃起始固化，650℃及以上致密化；纯度等级为<1ppm 或 < 50ppb；核心优势是重浓度碲掺杂、超高纯度、成膜均匀、工艺稳定。
问题：Te-432HP 的应用特点、后处理方式与可替代产品有哪些？
答案：应用特点为低温固化、适配半导体碲掺杂；掺杂扩散后玻璃层可去除；可替代产品为S-237HP、Se-432HP。
