发布日期：2026/6/3 10:45:12
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高纯重浓度硫掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源（Spin-on Glass S-237HP）
高纯重浓度硫掺杂旋涂玻璃液态源，专为第三代半导体、红外光电器件、先进硅基器件提供高纯度、高均匀、高浓度硫扩散掺杂，是低温、安全、无剧毒气源的新型硫掺杂解决方案。
核心应用场景：
1、第三代半导体硫掺杂（SiC、GaN、GaAs）
用于N 型重掺杂、欧姆接触、缓冲层、电流阻挡层
提升器件导电性、导热性、高压稳定性 许总：15220133370
2、红外光电器件、探测器、量子器件
硫掺杂可调控能带、载流子寿命、红外吸收
用于红外探测器、光电二极管、光敏器件
3、先进硅基半导体新工艺研发
用于深能级掺杂、缺陷调控、载流子寿命控制
适用于新型功率器件、辐射探测器、特种传感器
4、MEMS 与微结构器件
低温旋涂成膜，不破坏微结构
兼顾掺杂、钝化、表面保护一体工艺
5、化合物半导体外延与异质结工艺
提供高纯、稳定、均匀的硫源
用于外延层掺杂、界面改性、接触电阻优化
6、高可靠性器件与离子俘获改性
硫作为深能级杂质，可调控器件漏电与击穿特性
用于高压、高频、高功率器件可靠性提升
7、科研 / 高校 / 研究所流片（MPW）
无需剧毒气源、无需真空扩散设备
安全、简单、可小批量使用
一、产品基本信息
产品全称：Spin-on Glass S-237HP
产品类型：高纯重浓度硫掺杂硅酸盐旋涂玻璃液态源
生产厂商：Desert Silicon, Inc.
二、核心成分与关键参数
表格
项目 关键信息
核心元素 S、Si、O
硫原子浓度 4×1021 atoms/cm3
薄膜核心元素 硫（Sulphur）
粘度（635nm） 0.9 cps
折射率（635nm） 1.5
旋涂成膜厚度 140 nm（3000 rpm）
固化起始温度 200℃
致密化温度 650℃及以上
保质期 20℃：3 个月；4℃：9 个月
纯度等级 <1 ppm 或 <50 ppb
三、产品核心优势
重浓度硫掺杂，满足半导体高剂量硫掺杂需求
薄膜涂覆均匀，一致性优异
高纯度材料，杂质控制严格
熔点低于纯氧化硅，工艺兼容性更好
工艺稳定，不受流量影响
可提供 <1 ppm 或 <50 ppb 超高纯度规格
四、典型应用说明
应用领域：半导体硫掺杂工艺
固化特性：200℃开始固化形成低密度固态薄膜；烘烤至650℃以上，薄膜持续致密
工艺建议：若保留玻璃层，烘烤温度不低于后续制程温度
后处理：掺杂扩散完成后玻璃层可去除
五、包装、替代与可添加元素
包装规格：240ml、500ml、1L、2.5L、4L
替代产品：Se-432HP、Te-432HP
定制选项：支持多元素复配，可提供化合物半导体专用元素配方
六、免责与安全提示
文档信息不提供任何明示或暗示担保
用户需自行验证产品适用性并承担使用风险
健康与安全信息请查阅MSDS文件
4. 关键问题
问题：S-237HP 的核心掺杂元素、浓度与成膜参数是什么？
答案：核心掺杂元素为硫（S），浓度4×1021 atoms/cm3；3000rpm旋涂可形成140nm厚薄膜，粘度0.9cps，折射率1.5。
问题：S-237HP 的固化温度区间、工艺特点与核心优势有哪些？
答案：200℃起始固化，650℃以上致密化；工艺特点为低温固化、掺杂后玻璃可去除；核心优势是重浓度硫掺杂、高纯度、成膜均匀、工艺稳定。
问题：S-237HP 的纯度规格、保质期与可替代产品分别是什么？
答案：纯度可达 <1ppm 或 < 50ppb；20℃保质期 3 个月、4℃9 个月；可替代产品为Se-432HP、Te-432HP。
