Gersteltec SU-8 负性光环氧极厚胶GM 1075
GM 1075 是 100–400μm 极厚型 SU-8 负性光环氧，低应力、高深宽比、抗开裂，专用于超厚 MEMS、深微流控、厚层电镀模具与大功率传感器制造。
核心应用场景
1、100–400μm 极厚 MEMS 结构（最核心）
超厚悬臂梁、质量块、微齿轮、大尺寸可动结构 许总：15220133370
一次光刻做到 400μm 极限厚度，无需多层涂胶
高深宽比、侧壁垂直、低应力、几乎不开裂
2、超深微流控芯片
100–400μm 深度微通道、反应腔、过滤结构
大流量、高通量、高通量芯片专用
耐酸碱、生物兼容、封接强度高
3、超厚电镀 / 微电铸模具
镍、铜、金极厚电铸模具
深度最高 400μm，高深宽比一次成型
图形精度高、脱模干净、侧壁陡直
4、厚模板热压印 / 微注塑
塑料微结构复制、微注塑模具
超厚、耐磨、寿命长
适合 100–400μm 厚重结构压印
5、大功率 / 工业级传感器
压力、惯性、振动、流量传感器
超厚结构抗震、耐压、稳定性极强
适合汽车、工业、高端装备
6、微线圈、电磁器件、执行器
3D 电磁结构、厚线圈骨架、绝缘支撑层
高绝缘、高精度、耐高温
7、喷墨打印头、超深微喷嘴
超高深度喷嘴孔、限流结构
孔径均匀、流量一致性好
8、科研 / 高校极限厚胶加工
业内最稳定的 100–400μm SU-8 极厚胶
文献多、工艺成熟、良率最高
适合做超大深度结构原型
一、产品基础信息
型号：GM 1075
类型：环氧基化学增幅负性光环氧胶（SU-8 体系）
适用膜厚：＞100μm，最高可达 400μm
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line）
显影 / 漂洗：PGMEA显影 + 异丙醇 (IPA) 漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、核心优势
极厚膜加工能力：稳定覆盖100–400μm，满足超大深度结构需求
低应力设计：95℃低温 PEB大幅降低内应力，减少开裂
高深宽比：侧壁角度接近90°，结构强度优异
特殊旋涂工艺：双转速段涂胶，提升厚膜均匀性
三、完整工艺流程
基底处理
130℃烘烤 ≥20 分钟 除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
主转速保持100s，末段短时间提速400rpm
加 / 减速：100rpm/s、400rpm/s
松弛：30 分钟–整晚
软烘（SB）
升温速率4℃/min至120℃，保持2–50 分钟
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：200–1000mJ/cm2
曝光后延迟：≥1 小时
曝光后烘烤（PEB）
升温速率4℃/min至95℃，保持30 分钟–2.5 小时
显影与漂洗
PGMEA显影3–15 分钟，通透后延长 10% 时间
IPA漂洗至无白色痕迹
去除：专用 Gersteltec 剥离液
四、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 软烘 (120℃) PEB(95℃) 显影时间
100μm 1700rpm 200mJ/cm2 2min 30min 3min
150μm 1200rpm 350mJ/cm2 5min 40min 5min
200μm 950rpm 500mJ/cm2 10min 1h 7min
300μm 650rpm 700mJ/cm2 30min 1.5h 9min
350μm 600rpm 850mJ/cm2 40min 2h 11min
400μm 500rpm 1000mJ/cm2 50min 2.5h 15min
五、主要应用
极厚膜 MEMS 微机械结构（悬臂梁、齿轮、执行器）
超高深宽比微流控芯片、工业传感器
厚层电镀 / 电铸模具、热压印印章
喷墨打印喷嘴、微线圈骨架
六、常见问题解决
裂纹：提高曝光剂量10mJ/cm2量级
显影白痕：适当延长显影时间（严禁过显）
结构脱落：缩短显影时间、优化烘烤工艺
4. 关键问题
问题：GM 1075 的核心定位与最大加工厚度是多少？
答案：核心是 ＞100μm 极厚膜专用 SU-8 负胶 ，最高可稳定加工至400μm厚度。
问题：该胶软烘与 PEB 温度为何不同，这样设置的目的是什么？
答案：软烘温度 120℃用于充分除溶剂，PEB 温度95℃ 为低温工艺；低温 PEB 可显著降低内应力，避免极厚膜开裂、翘曲。
问题：400μm 极厚膜对应的曝光剂量和显影时间是多少，显影必须注意什么？
答案：400μm 曝光剂量1000mJ/cm2，显影时间15 分钟；显影需在结构通透后延长 10% 时间，严禁过显，否则会导致厚胶整体脱落。
