SU-8 体系黑色环氧负胶PCCPI 1040 black
PCCPI 1040 black 是黑色 SU-8 型负性光环氧厚胶，支持 0.8–10μm 高深宽比结构，专用于 MEMS、微流控、传感器、电镀模具与微流控芯片制造。
核心应用场景
1、MEMS 微机械结构制造（最核心） 许总：15220133370
悬臂梁、齿轮、微马达、振动结构
高深宽比、侧壁垂直、机械强度高
黑色版本适合光屏蔽、吸收型结构
2、微流控芯片（Microfluidics）
微通道、反应腔、混合器、过滤结构
0.8–10μm 厚度范围全覆盖
化学稳定性好、生物兼容
3、传感器结构层
压力传感器、惯性传感器、流量传感器
图形精度高、结构稳定、耐高温
适合封装与保护层
4、电镀模具 / 微电铸 Molding
金、镍、铜电镀模具与通孔填充
高纵横比模具首选 SU-8 体系
脱模性好、精度高
5、热压印印章 / 纳米压印模板
塑料热压印、微结构复制
硬度高、耐磨、寿命长
可做 1–10μm 高精度模板
6、喷墨打印头喷嘴 / 光屏蔽结构
喷嘴孔、限流结构、遮光层
黑色 SU-8 可吸收光线、减少反射
适合光学器件、显示隔垫
7、多芯片组件 / 晶圆级保护层
层间绝缘、图形化保护层、缓冲层
耐高温、耐化学腐蚀
适用于中后道微组装工艺
8、微加工科研 / 高校实验室通用胶
最稳定、最常用的厚胶负胶
工艺成熟、资料多、好调机
从 1μm 到 10μm 全覆盖
一、产品基础信息
型号：PCCPI 1040 black
类型：SU-8 体系负性光环氧胶
适用膜厚：0.8–5μm（良率可达 10μm，最高 28μm）
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line）
显影 / 漂洗：PGMEA显影 + IPA漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、完整工艺流程
基底处理
氧等离子：500W / 7min
或 130℃ 烘烤 ≥20min 除水汽
不推荐标准 HMDS
旋涂
转速：200–5000rpm，40s
加 / 减速：100rpm/s
松弛：5–15min（提升均匀性）
两步软烘（SB）
室温→65℃（2℃/min），保持 5–10min
65℃→95℃（2℃/min），保持 5–30min
自然冷却至室温
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：100–400mJ/cm2（i-line）
曝光后延迟：≥10min
两步 PEB
同软烘温度曲线，95℃保持 15–30min
显影与漂洗
PGMEA 浸泡显影，完成后延长 10% 时间
IPA 漂洗至无白色痕迹
自然风干
可选硬烘：135℃ / 2h（修复微裂纹）
可选去除：专用 SU-8 剥离液
三、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间
1.0μm 3500rpm 100mJ/cm2 20s
2.0μm 1600rpm 220mJ/cm2 30s
3.0μm 1100rpm 250mJ/cm2 40s
4.0μm 800rpm 280mJ/cm2 50s
5.0μm 650rpm 290mJ/cm2 60s
四、核心光学与材料参数
曝光峰值：365nm (i-line)
折射率 / 吸收：适配紫外宽波段
热稳定性：经 135℃硬烘后结构稳定
五、主要应用
MEMS 微机械结构、微流控芯片
压力 / 惯性传感器、喷墨打印喷嘴
电镀模具、热压印印章
多芯片组件、LCD 隔垫物
4. 关键问题
问题：PCCPI 1040 的产品类型、适用膜厚范围与标准曝光波段是什么？
答案：属于SU-8 负性光环氧胶；标准膜厚0.8–5μm（良厚 10μm）；标准曝光为i-line(365nm)。
问题：该胶的软烘与 PEB 采用什么温度曲线，为何使用两步烘烤？
答案：均采用65℃保持→95℃保持的两步升温曲线（升温速率 2℃/min）；两步烘烤可平缓除溶剂、避免应力裂纹、保证交联均匀。
问题：PCCPI 1040 的显影液与漂洗液分别是什么，显影需要注意什么？
答案：显影液为PGMEA，漂洗液为IPA；显影需在通透后延长 10% 时间，且不可过显，否则会导致结构脱落。
