Gersteltec 化学增幅型环氧负胶GM 1050
GM 1050 是 3–8μm 中薄层专用负性光环氧，高深宽比、工艺简洁、无需松弛，广泛用于 MEMS、微流控、传感器、中薄层模具与精密微结构制造。
核心应用场景
1、3–8μm 中薄层 MEMS 结构（最核心） 许总：15220133370
悬臂梁、微桥、微齿轮、可动结构
侧壁接近 90°、高深宽比、机械强度高
工艺简单、不用松弛、良率高
2、微流控芯片（中等深度通道）
3–8μm 深度微通道、反应腔、过滤结构
通道均匀、封接性好、耐化学腐蚀
适合细胞操控、微流控筛检结构
3、微传感器结构层
压力传感器、惯性传感器、流量传感器
结构层 / 保护层一体成型
应力低、信号稳定、精度高
4、中薄层电镀 / 电铸模具
3–8μm 深度镍 / 铜 / 金电铸模具
图形精度高、脱模干净
一次光刻成型，无需多层叠加
5、热压印 / 微注塑模板
塑料微结构复制、薄膜压印
硬度高、耐磨、寿命长
3–8μm 厚度最常用
6、喷墨喷嘴、微孔洞阵列
高精度喷孔、限流孔、圆形孔阵
孔径一致性好、边缘锐利
适合打印头、微喷器件
7、LCD 隔垫物、微支柱、层间支撑
显示面板间隔柱、微凸点、绝缘支撑
高度均匀、批量稳定、耐高温
8、高校 / 科研微加工
最稳定的 3–8μm 中薄层 SU-8
工艺简单、曝光剂量低、易调试
文献多、成功率高
一、产品基础信息
型号：GM 1050
类型：环氧基化学增幅负性光环氧胶
适用膜厚：3–8μm
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line）
显影 / 漂洗：DRGM显影 + 异丙醇 (IPA) 漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、核心优势
中薄层专用：完美覆盖3–8μm常用厚度区间
高深宽比：侧壁角度接近90°
工艺简化：无需松弛步骤，流程更高效
高灵敏度：曝光剂量仅35–54mJ/cm2
三、完整工艺流程
基底处理
130℃烘烤 ≥20 分钟 除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
转速：对应厚度1040–3000rpm，保持40s
加 / 减速：100rpm/s
软烘（SB）
直接120℃烘烤1–2 分钟
起泡时可梯度升温至 120℃
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：35–54mJ/cm2
延迟时间：5 分钟
曝光后烘烤（PEB）
升温速率4℃/min至95℃，保持5–10 分钟
显影与漂洗
DRGM显影15–30 秒，通透后延长 10% 时间
IPA漂洗至无白色痕迹
可选硬烘：150℃保持5–10 分钟
四、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 最小曝光剂量 分辨率 显影时间
3μm 3000rpm 35mJ/cm2 1.5μm 15s
4μm 2120rpm 44mJ/cm2 1.5μm 17s
5μm 1660rpm 49mJ/cm2 2μm 20s
6μm 1400rpm 51mJ/cm2 2.5μm 22s
7μm 1180rpm 53mJ/cm2 2.5μm 25s
8μm 1040rpm 54mJ/cm2 3μm 30s
五、主要应用
MEMS 微机械结构、微流控芯片
压力 / 流量传感器、喷墨打印喷嘴
中薄层电镀 / 电铸模具
LCD 隔垫物、热压印印章
六、常见问题解决
裂纹：提高曝光剂量20%
显影白痕：延长显影时间（勿过显）
结构脱落：缩短显影时间、优化烘烤
4. 关键问题
问题：GM 1050 的适用膜厚范围和标准曝光剂量区间是多少？
答案：适用3–8μm中薄层；标准 i-line 曝光剂量为35–54mJ/cm2。
问题：该胶的软烘和 PEB 温度分别是多少，是否需要松弛步骤？
答案：软烘温度120℃，PEB 温度95℃；无需松弛步骤，工艺更简洁。
问题：GM 1050 在 8μm 厚度下的分辨率和显影时间是多少，显影需注意什么？
答案：8μm 厚度分辨率3μm，显影时间30 秒；显影需在通透后延长 10% 时间，严禁过显防止结构脱落。
