Gersteltec SU-8 型负性光环氧胶GM 1040
GM 1040 是标准型薄层 SU-8 负性光环氧，0.8–5μm 通用，高深宽比、低应力、工艺稳定，广泛用于 MEMS、微流控、微电极、薄层模具与精密微结构制造。
核心应用场景
1、0.8–5μm 薄层 MEMS 结构（最核心） 许总：15220133370
微型悬臂梁、微桥、敏感结构、小机械件
侧壁接近 90°、高深宽比、机械强度好
应力低、均匀性高、良率稳定
2、薄层微流控芯片
浅微通道、细胞腔、过滤 / 混合微结构
表面平整、封接性能好
耐化学、生物兼容
3、高精度微电极与传感器
电容电极、压电 / 流量传感器结构
边缘锐利、尺寸精确、一致性好
适合表面微加工
4、薄层电镀 / 微电铸模具
1–5μm 厚度电铸 / 电镀模具
图形精度高、脱模干净
一次光刻成型，简化工艺
5、热压印 / 纳米压印薄层模板
塑料微结构复制、薄膜压印模板
硬度高、耐磨、寿命长
0.8–5μm 厚度最常用
6、喷墨喷嘴、微孔洞、微筛网
高精度喷嘴孔、限流孔、阵列孔
孔径均匀、圆形度好
适合高要求喷孔器件
7、LCD 隔垫物、微支柱、微凸点
显示间隔柱、层间支撑、微焊点
高度均匀、批量稳定
8、高校 / 科研通用薄层 SU-8
最成熟的0.8–5μm 标准 SU-8
文献多、工艺稳、易复现
适合微结构原型开发
一、产品基础信息
型号：GM 1040
类型：环氧基化学增幅负性光环氧胶（SU-8 体系）
适用膜厚：0.8–5μm（稳定区间）
曝光波段：i-line(365nm)（兼容 g/h/i-line 宽波段）
显影 / 漂洗：DRGM显影 + 异丙醇 (IPA) 漂洗
厂商：Gersteltec Sarl（瑞士）
二、完整工艺流程
基底处理
130℃烘烤 ≥20 分钟 除水汽
或氧等离子500W/7 分钟
不推荐 HMDS 工艺
旋涂
转速：200–5000rpm，保持40s
加 / 减速：100rpm/s
松弛：5–15 分钟（随厚度调整）
两步软烘（SB）
室温→65℃（2℃/min），保持5–10min
65℃→95℃（2℃/min），保持5–30min
曝光
方式：硬接触曝光
剂量：80–290mJ/cm2
曝光后延迟：≥10 分钟
两步 PEB：同软烘温度曲线
显影与漂洗
DRGM显影，通透后延长 10% 时间
IPA漂洗至无白色痕迹
可选硬烘：135℃/2 小时
三、典型工艺参数表
表格
目标厚度 旋涂转速 曝光剂量 显影时间
0.8μm 5000rpm 80mJ/cm2 10s
1.0μm 3500rpm 100mJ/cm2 20s
2.0μm 1600rpm 220mJ/cm2 30s
3.0μm 1100rpm 250mJ/cm2 40s
4.0μm 800rpm 280mJ/cm2 50s
5.0μm 650rpm 290mJ/cm2 60s
四、核心性能特点
薄层高精度：覆盖0.8–5μm薄层区间，图形精度优异
高深宽比：侧壁接近 90° 垂直，结构强度高
低应力稳定：梯度烘烤降低内应力，减少裂纹
工艺兼容性强：适配标准紫外曝光机与显影线
五、主要应用
MEMS 微机械结构、微流控芯片
传感器、喷墨打印喷嘴
电镀模具、热压印印章
LCD 隔垫物、多芯片组件
4. 关键问题
问题：GM 1040 的适用膜厚范围与标准曝光波段是什么？
答案：稳定适用0.8–5μm薄层结构；标准曝光为 i-line (365nm) 紫外波段。
问题：该胶软烘与 PEB 为何采用两步温度曲线，核心温度点是多少？
答案：采用65℃→95℃两步梯度升温（速率 2℃/min），目的是平缓除溶剂、降低内应力、避免薄层开裂，保证交联均匀与结构完整。
问题：5.0μm 厚度对应的曝光剂量与显影时间是多少，显影需注意什么？
答案：5.0μm 曝光剂量290mJ/cm2，显影时间60s；显影需在结构通透后延长 10% 时间，严禁过显防止结构脱落。
