陶氏正胶SPR 6800G
SPR?6800G 是陶氏 g-line/i-line 双波段通用光刻胶，g?line 无需 PEB、焦深高达 3.0μm，耐热 130℃、耐湿法腐蚀，广泛用于混合产线、简化工艺、大功率器件及 MEMS 光刻。
核心应用场景
1、g-line /i-line 双波段混合产线（最核心） 许总：15220133370
一条产线同时有 g-line、i-line 机台
一支胶通吃两种曝光波长，不用换胶
工厂物料极简、管理成本低
2、g?line 无 PEB 简化工艺量产
不需要曝光后烘烤（PEB），流程短、效率高
适合 0.6μm～0.8μm 成熟制程大批量生产
机台稼动率高、良率稳定
3、超大焦深需求的光刻
台阶高低差大、表面不平整的晶圆
沟槽、阶梯、多层结构上光刻
g?line 焦深 高达 3.0μm，几乎不会失焦
4、高热稳定要求的图形
后续需要高温硬烤、沉积、退火工艺
耐热 130℃ 不流胶、不变形、不塌陷
适合需要高温后段的器件
5、线条 / 接触孔 通用图形
0.6μm～0.8μm 线宽 / 间距
0.7μm 级别接触孔阵列
CD 均匀、侧壁陡直
6、湿法腐蚀 / BHF 腐蚀掩膜
氧化物、氮化物湿法刻蚀掩膜
附着力极强，长时间腐蚀不脱胶
适合 MEMS、传感器、功率器件
7、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
MOSFET、二极管、终端结构、场环
大尺寸图形、厚胶、高热预算
工艺宽容度极大，量产稳定
8、高校 / 研究所 / 中试线通用胶
工艺简单：g?line 不用 PEB
对焦要求低、容错高
几乎适配所有老式 / 新款 g/i-line 光刻机
一、产品概述
SPR?6800G 是陶氏研发的g-line/i-line 双波段兼容正性光刻胶，专为0.6μm 及以上成熟制程设计，在 g-line 曝光下无需 PEB即可完成反应，大幅简化工艺、提升产能，同时具备超宽焦深、高热稳定性与优异附着力。
二、g-line 工艺与性能
标准工艺条件
表格
项目 参数
膜厚 1.23μm
软烘 100℃ / 90sec
PEB 无
显影 MF CD26 / 23℃ / 5-60sec
热烘 120/130/140℃ / 180sec
核心光刻性能
表格
指标 数值
本体灵敏度 Eth 58 mJ/cm2
最佳曝光 Eop 77.4 mJ/cm2
分辨率 0.60 μm
焦深（±10% CD） 3.00 μm
曝光宽容度 19.4%
热稳定性 130℃
三、i-line 工艺与性能
标准工艺条件
表格
项目 参数
膜厚 1.18μm
软烘 90℃ / 90sec
PEB 110℃ / 90sec
显影 MF CD26 / 23℃ / 60sec
核心光刻性能
表格
指标 数值
本体灵敏度 E0 110 mJ/cm2
600nm 线宽 Eop 186.9 mJ/cm2
700nm 接触孔 Eop 168.3 mJ/cm2
600nm 线宽焦深 1.73μm
700nm 接触孔焦深 1.54μm
湿法刻蚀速率 0.104μm/min
四、关键特性
工艺简化：g-line 曝光无需 PEB，缩短流程、提升产能
超宽焦深：g-line 焦深达3.00μm，大幅提升聚焦容错
高热稳定：130℃下无变形，适配高温后处理
强附着力：耐湿法刻蚀，12min 刻蚀无脱落
双波段兼容：同时支持 g-line 与 i-line 曝光，适配混合产线
4. 关键问题
问题：SPR?6800G 在 g-line 与 i-line 工艺上最核心的区别是什么？
答案：g-line 工艺无需 PEB，简化流程；i-line 工艺需要110℃/90sec PEB，分辨率更高（600nm 线宽 / 700nm 接触孔）。
问题：该光刻胶在 g-line 下的焦深与热稳定性分别是多少，带来什么工艺价值？
答案：焦深3.00μm，大幅提升聚焦容错；热稳定性130℃，满足高温硬烤与后续工艺，图形不变形。
问题：SPR?6800G 在 i-line 下的湿法刻蚀表现如何，体现了什么能力？
答案：12min 湿法刻蚀后附着力1.247μm，刻蚀速率0.104μm/min；体现优异附着力与耐湿刻特性，可作为湿法刻蚀高质量掩膜。
