陶氏宽光谱厚膜正胶MEGAPOSIT SPR 220 Series
MEGAPOSIT SPR 220 是陶氏 i-line/g-line 宽光谱厚膜光刻胶，单次涂覆 1–30μm，具备优异附着力、耐电镀、耐深硅刻蚀特性，广泛用于 MEMS、晶圆凸点、微流控、封装、深刻蚀与厚胶图形化领域。
核心应用场景
1、MEMS 微机电系统制造（最核心） 许总：15220133370
高深宽比硅深刻蚀（Bosch 工艺）掩膜
悬臂梁、振膜、 comb 驱动结构、陀螺仪、加速度计
微流控通道、腔体、高深宽比沟槽图形
耐刻蚀强、附着力好、厚膜不开裂
2、晶圆凸点 / 金凸点 / 铜柱 / 微凸点工艺
电镀掩膜：Au、Cu、Ni/Fe、SnAg 等
厚胶图形化，5–30μm 高度凸点
电镀不脱落、不开裂、图形垂直度好
3、厚膜光刻图形化（1–30μm）
单涂即可实现1–30μm 厚胶，无需多层叠涂
高均匀性、高平整度、台阶覆盖好
适合各类厚胶结构、隔离槽、深孔
4、晶圆级封装 / 倒装芯片封装
凸点光刻、再布线层（RDL）掩膜
金属柱、保护层开孔、钝化层图形
耐高温、附着力强、适配产线批量
5、深刻蚀与湿法腐蚀掩膜
硅深刻蚀、博世工艺掩膜（深达 200μm）
HF 湿法腐蚀掩膜
高选择比、边缘整齐、无钻蚀
6、传感器、生物芯片、微流控芯片
微流道、反应腔、电极窗口
生物兼容、化学稳定、图形精度高
7、功率器件 / 高压器件 / 分立器件
厚栅、深沟槽、终端结构光刻
大尺寸图形、高耐温、高稳定性
8、研发 / 高校实验室通用厚胶光刻
宽光谱（g/i-line）通用、工艺简单
显影容易、良率高、重复性好
4/6/8/12 英寸晶圆全覆盖
一、产品概述
MEGAPOSIT? SPR?220 Series 是陶氏研发的宽光谱正性厚膜光刻胶，支持g-line/i-line曝光，主打单次旋涂实现 1–30μm 厚膜，兼具高均匀性、强附着力与优异耐电镀、耐刻蚀能力，专为厚胶光刻场景设计。
二、核心性能优势
超宽膜厚范围：单次涂覆1–30μm，均匀性优异
宽光谱感光：支持g-line(436nm)、i-line(365nm)
高附着力：干湿刻蚀均不脱落，适配金属基底
耐电镀性能：适配Au、Cu、Ni/Fe电镀，无开裂
高耐刻蚀性：适配 Bosch 深硅刻蚀，高深宽比图形稳定
三、关键工艺参数
（1）基础工艺条件
表格
膜厚范围 软烘条件 PEB 显影液
1.1–4.0μm 115℃/90s 115℃/90s MF-24A
＞4.0μm 阶梯升温→115℃/≥90s 115℃ MF-24A/MF-26A
（2）曝光速度（典型值）
表格
波长 膜厚 曝光能量
i-line 1.2μm 160mJ/cm2
i-line 3.0μm 310mJ/cm2
g-line 1.2μm 210mJ/cm2
g-line 3.0μm 320mJ/cm2
（3）光学参数
365nm 折射率：1.6035
Dill A(365nm)：0.5250；Dill B(365nm)：0.0298
四、工艺流程要点
基底处理：推荐HMDS增粘（120℃/30s）
旋涂：低转速实现厚膜，375rpm 可达~30μm
软烘：膜厚＞4μm 需阶梯升温，避免开裂
曝光：厚膜（＞12μm）需700–1300mJ/cm2高能量
PEB 延迟：膜厚＞4μm 需静置 ≥35min；＞12μm 需 ≥120min
显影：厚膜推荐双喷式显影，保证图形通透
去除：使用MICROPOSIT REMOVER 1165，80℃双槽去除
五、兼容范围
基底：硅、氧化铝、金、铜、镍铁合金
显影液：MF-24A(0.24N)、MF-26A(0.26N)、M452/M453
工艺：光刻、电镀、Bosch 深硅刻蚀、湿法腐蚀
4. 关键问题
问题：SPR 220 系列最突出的特点是什么，可实现的单次涂覆膜厚范围是多少？
答案：最突出特点是宽光谱、厚膜、耐电镀、耐深硅刻蚀；单次涂覆膜厚范围为1–30μm。
问题：厚膜（＞4μm）使用 SPR 220 时，软烘和 PEB 前为何需要延迟，延迟时间分别是多少？
答案：延迟是为了让水分扩散回胶膜完成光化学反应；膜厚＞4μm 需静置 ≥35 分钟 ，＞12μm 需静置 ≥120 分钟 。
问题：SPR 220 主要适配哪些工艺场景，对应的核心工艺支撑是什么？
答案：适配MEMS、晶圆凸点、电镀、高深宽比刻蚀；核心支撑是优异附着力、耐电镀、耐 Bosch 刻蚀、厚膜均匀性好。
