陶氏KrF正胶UV135G
UV135G 是陶氏 KrF 整合型光刻胶，0.35–1.0μm 膜厚，支持 Metal/Via/LS 三合一工艺，180nm 高分辨率，广泛用于 180nm 成熟制程、逻辑芯片、MCU 及 MEMS 量产。
核心应用场景
1、180nm KrF 制程量产（最核心）
专为 180nm 工艺节点 逻辑 / 芯片设计
一支胶搞定 线条 + 通孔 + 金属层 全流程 许总：15220133370
宽工艺窗口，量产良率高、稳定性强
2、Metal / Via / LS 三合一整合光刻
金属走线层（Metal）
接触孔 / 通孔层（Via）
线宽 / 间距层（Line/Space）
工厂少胶化、标准化首选
3、180nm～500nm 全图形光刻
180nm 精细线宽 / 间距
250nm 密集沟槽
500nm 接触孔、孤立点
图形一致性好、Iso-Dense 偏差小
4、中薄膜 KrF 光刻（0.35～1.0μm）
薄膜关键层：栅极、字线、位线
中膜层：金属线、通孔
涂敷均匀、无条纹、边缘干净
5、半导体逻辑 / 闪存 / MCU 量产
180nm 成熟制程主流平台
搭配 AR3 抗反射层 + MF CD-26 显影
整线材料高度匹配、缺陷少
6、MEMS、传感器、功率器件
中等线宽、沟槽、电极结构
工艺宽容度高、容易调机
适合中试线与稳定量产
一、产品概述
UV135G 是陶氏电子材料推出的KrF（248nm）正性光刻胶，面向整合式光刻工艺，可同时满足金属层、通孔层、线宽层加工需求，是 180nm 节点的通用型材料。
二、核心特性
工艺整合：一支胶兼容Metal、Via、LS三类关键层
膜宽范围：0.35μm ~ 1.0μm
图形能力：覆盖线宽 / 沟槽 / 接触孔 / 孤立点全图形
配套性：标准适配MF CD-26 显影液
三、光刻关键性能
表格
图形类型 膜厚 最佳能量 关键指标
180nm 线宽 / 间距 390nm 29.0 mJ/cm2 焦深0.48μm@10%EL
250nm 密集沟槽 900nm 25.0 mJ/cm2 轮廓规整
500nm 孤立接触孔 825nm 22.0 mJ/cm2 孔型均匀
四、标准工艺条件
表格
工艺步骤 参数
软烘（SB） 120℃ / 60~90sec
曝光 0.60~0.70NA，Binary 掩模
曝光后烘烤（PEB） 130℃ / 60~90sec
显影 MF CD-26，23℃，30~60sec
五、型号与膜厚
UV135G-0.4：~0.4μm
UV135G-0.5：~0.5μm
UV135G-0.9：~0.9μm
4. 关键问题
问题：UV135G 的核心定位与适用膜厚范围是什么？
答案：核心定位是KrF 整合工艺专用光刻胶，可同时用于Metal、Via、LS层；适用膜厚0.35μm~1.0μm。
问题：该胶在 180nm 线宽条件下的焦深与曝光能量是多少？
答案：最佳曝光能量29.0 mJ/cm2，焦深0.48μm（@10% 曝光宽容度）。
问题：UV135G 的标准 PEB 温度与推荐显影液是什么？
答案：PEB 温度为130℃；推荐显影液为MF CD-26。
