陶氏i-line正胶MCPR i7010G
MCPR i7010G 是陶氏 i-line 高精度光刻胶，可实现 0.30μm 孤立线与 0.50μm 密集线加工，焦深达 1.40μm，广泛用于逻辑 / 存储芯片、MEMS、功率器件及高反射基底的高精度关键层光刻。
核心应用场景
1、i-line 高精度关键层光刻（最核心）
面向 0.35μm / 0.40μm / 0.50μm 成熟先进制程 许总：15220133370
可稳定做 0.30μm 孤立线、0.50μm 密集线
焦深达到 1.40μm，工艺宽容度大，适合量产
2、逻辑芯片 / 模拟 IC 前道关键层
栅极、源漏、轻掺杂、接触孔、金属第一层
对 CD 均匀性、轮廓垂直度要求高的层别
线条直、偏差小、稳定性强
3、存储芯片（DRAM / Flash / OTP）阵列光刻
存储单元、字线 / 位线、小尺寸接触孔
高一致性、低缺陷、批间重复性好
4、高反射基底光刻
硅、多晶硅、SiN、TiN、金属层
搭配 BARC 使用，图形精度更高
抗反射匹配好，驻波与 notch 抑制佳
5、MEMS 与传感器精密图形化
微小电极、压电结构、检测区域、引线图形
小尺寸图形精准，侧壁陡直
6、功率器件 & 分立器件
MOSFET、IGBT、二极管等精细图形
良率高、可靠性好、适合批量生产
7、研发 / 中试线高精度 i-line 光刻
分辨率高、焦深大、易调试
显影使用标准 MF CD-26，通用性极强
一、产品概述
MCPR i7010G 是陶氏开发的i-line（365nm）正性光刻胶，提供多种粘度稀释版本，可通过旋涂转速调控成膜厚度，专为高精度微光刻设计，适用于高密度线条与孤立线图形化。
二、核心光刻性能
表格
性能项目 数值
本体曝光灵敏度 70 mJ/cm2
最佳曝光能量（Eop） 107.1 mJ/cm2
Eop/Eth 比值 1.53
密集线分辨率 0.50 μm
孤立线分辨率 0.30 μm
焦深（±10% CD） 1.40 μm
三、标准工艺条件
表格
工艺步骤 参数
脱水烘烤 150℃ / 60 sec
增粘处理 HMDS 气相 / 90℃ / 40 sec
旋涂膜厚 1.07 μm
软烘 90℃ / 60 sec
曝光条件 0.50NA，0.68PC
曝光后烘烤（PEB） 110℃ / 60 sec
显影 MF CD-26 / 23℃ / 60 sec
四、光学常数
表格
Cauchy 系数 数值
n1 1.599
n2 7.0E+05
n3 1.3E+13
五、图形化能力
密集线 / 间隔：可稳定解析 0.50 μm
孤立线：可稳定解析 0.30 μm
焦深表现：0.60μm 线宽条件下达到 1.40 μm
4. 关键问题
问题：MCPR i7010G 的密集线与孤立线分辨率分别是多少？
答案：密集线 / 间隔分辨率为0.50μm，孤立线分辨率为0.30μm。
问题：该光刻胶的标准工艺中软烘、PEB、显影的条件是什么？
答案：软烘90℃/60s；PEB110℃/60s；显影使用MF CD-26、23℃、60 秒。
问题：MCPR i7010G 在 0.60μm 线宽条件下的焦深是多少，代表什么工艺价值？
答案：焦深为1.40μm；代表在较大聚焦偏移范围内仍能保持 CD 稳定，工艺窗口更宽、量产良率更高。
